TX-深紫外光刻机(DUV)招标预告

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TX-深紫外光刻机(DUV)招标预告


TX-深紫外光刻机(DUV)
项目所在采购意向:华中科技大学2022年11至12月政府采购意向
采购单位:华中科技大学
采购项目名称:TX-深紫外光刻机(DUV)
预算金额:4200.*万元(人民币)
采购品目:
A*其他电工电子专用生产设备
采购需求概况 :
购买深紫外光刻机(DUV)一台,深紫外光刻机是半导体芯片制造的核心设备,可支持0.18μm的CMOS工艺节点,广泛应用于半导体光电子芯片、微电 (略) 、MEMS传感器、功率半导体器件的制造加工和纳米技术研究。 主要性能指标: 1.曝光光源为248nm KrF准分子激光器; 2.曝光方式为步进式或更高端; 3.加工晶圆尺寸兼容4/6英寸; 4.镜头缩放比例 ≤5:1; 5.最大曝光场面积 ≥22mm×22mm; 6.极限分辨率 ≤180nm; 7.极限分辨率时焦点深度 ≥0.5μm; 8.对准精度 ≤40nm; 9.步进精度 ≤20nm;
预计采购时间:2022-12
备注:


TX-深紫外光刻机(DUV)
项目所在采购意向:华中科技大学2022年11至12月政府采购意向
采购单位:华中科技大学
采购项目名称:TX-深紫外光刻机(DUV)
预算金额:4200.*万元(人民币)
采购品目:
A*其他电工电子专用生产设备
采购需求概况 :
购买深紫外光刻机(DUV)一台,深紫外光刻机是半导体芯片制造的核心设备,可支持0.18μm的CMOS工艺节点,广泛应用于半导体光电子芯片、微电 (略) 、MEMS传感器、功率半导体器件的制造加工和纳米技术研究。 主要性能指标: 1.曝光光源为248nm KrF准分子激光器; 2.曝光方式为步进式或更高端; 3.加工晶圆尺寸兼容4/6英寸; 4.镜头缩放比例 ≤5:1; 5.最大曝光场面积 ≥22mm×22mm; 6.极限分辨率 ≤180nm; 7.极限分辨率时焦点深度 ≥0.5μm; 8.对准精度 ≤40nm; 9.步进精度 ≤20nm;
预计采购时间:2022-12
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