电子科技大学2022年11月政府意向-微波光子研究中心仪器设备扩展购置（二）-A033499其他专用仪器仪表、A032-招标预告
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电子科技大学2022年11月政府意向-微波光子研究中心仪器设备扩展购置（二）-A033499其他专用仪器仪表、A032-招标预告
| 微波光子研究中心仪器设备扩展购置（二） | |
| 项目所在采购意向： | 电子科技大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 电子科技大学 |
| 采购项目名称： | 微波光子研究中心仪器设备扩展购置（二） |
| 预算金额： | 185.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*其他专用仪器仪表、A0321电工、电子专用生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 本项目拟采购傅里叶变换光电器件测试系统1套、磁控溅射镀膜机1台。 傅里叶变换光电器件测试系统用于高灵敏的光电传感器件中光电转换过程的响应行为的测量与分析，得到光电过程的重要参数，作为光电器件特性评价与性能改进的重要参考。采购标需满足的要求：针对主机模块，需满足最小光电流测试能力≤25pA，动态范围不少于6个数量级变化 ，测试能力范围：不窄于0.7~2.0eV ，量子效率测试不重复性≤1%，波长量测范围：600nm~1800nm，具备高效率QTH光源系统，具备灯源位置三轴微调功能具备单色仪，波长最小步进≦1nm，具备光学式滤镜转轮。针对傅里叶变换模块，需满足读取率每秒18,000read/s，缓冲器不少于 10 万个取样点，电流解析度≤pA级，具备任意波形发生器和 10 μs 间隔的数字转化能力，具备通道手动多点切换器，切换开关，独立4线。针对能态测试软件及控制器，具备CTSF电荷转移态能态拟合分析软件，具有电荷转移态能阶Ect、重组能λ、电荷转移态常数f 拟合计算功能，具备CTS能态测试分析功能，具备光电效率信号测量功能。针对高动态光强变化光学调变模块，光强可自动调变强度6个数量级，具备光电流讯号撷取装置，测量位元: 10 bit，高分辨率模式下可达16 bit，时间解析(Rise time): 1.15 ns，光电流转换电压讯号速度< 3ns，量测电压范围: 1mV/br~ 5V/br ，时间范围: 1 ns/br and 500 s/br。采购标需满足的服务及时限要求：产品全部验收合格后（以技术验收合格签字为标准），中标人向采购人免费提供 1 年上门保修服务。 微波光子芯片的制作需要金属膜来形成等离子刻蚀的阻挡层或用于制作电极。磁控溅射是制作所需的金属膜的有效手段。然而微波光子芯片制作时通常需要不同的金属薄膜，这些薄膜如果采用同一台设备来制作则会存在严重的材料相互污染问题，导致芯片性能严重下降甚至失效。拟购置的磁控溅射镀膜机将专用于微波光子芯片的制作， (略) 必要的且使用较为频繁的工艺设备。。该刻蚀系统使用的工艺气体主要是氧气，氮气，氩气，反应后残余气体经密封通风管道排出。年使用总机时预计约1800小时，使用年限15年. |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | 单一来源 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 微波光子研究中心仪器设备扩展购置（二） | |
| 项目所在采购意向： | 电子科技大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 电子科技大学 |
| 采购项目名称： | 微波光子研究中心仪器设备扩展购置（二） |
| 预算金额： | 185.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*其他专用仪器仪表、A0321电工、电子专用生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 本项目拟采购傅里叶变换光电器件测试系统1套、磁控溅射镀膜机1台。 傅里叶变换光电器件测试系统用于高灵敏的光电传感器件中光电转换过程的响应行为的测量与分析，得到光电过程的重要参数，作为光电器件特性评价与性能改进的重要参考。采购标需满足的要求：针对主机模块，需满足最小光电流测试能力≤25pA，动态范围不少于6个数量级变化 ，测试能力范围：不窄于0.7~2.0eV ，量子效率测试不重复性≤1%，波长量测范围：600nm~1800nm，具备高效率QTH光源系统，具备灯源位置三轴微调功能具备单色仪，波长最小步进≦1nm，具备光学式滤镜转轮。针对傅里叶变换模块，需满足读取率每秒18,000read/s，缓冲器不少于 10 万个取样点，电流解析度≤pA级，具备任意波形发生器和 10 μs 间隔的数字转化能力，具备通道手动多点切换器，切换开关，独立4线。针对能态测试软件及控制器，具备CTSF电荷转移态能态拟合分析软件，具有电荷转移态能阶Ect、重组能λ、电荷转移态常数f 拟合计算功能，具备CTS能态测试分析功能，具备光电效率信号测量功能。针对高动态光强变化光学调变模块，光强可自动调变强度6个数量级，具备光电流讯号撷取装置，测量位元: 10 bit，高分辨率模式下可达16 bit，时间解析(Rise time): 1.15 ns，光电流转换电压讯号速度< 3ns，量测电压范围: 1mV/br~ 5V/br ，时间范围: 1 ns/br and 500 s/br。采购标需满足的服务及时限要求：产品全部验收合格后（以技术验收合格签字为标准），中标人向采购人免费提供 1 年上门保修服务。 微波光子芯片的制作需要金属膜来形成等离子刻蚀的阻挡层或用于制作电极。磁控溅射是制作所需的金属膜的有效手段。然而微波光子芯片制作时通常需要不同的金属薄膜，这些薄膜如果采用同一台设备来制作则会存在严重的材料相互污染问题，导致芯片性能严重下降甚至失效。拟购置的磁控溅射镀膜机将专用于微波光子芯片的制作， (略) 必要的且使用较为频繁的工艺设备。。该刻蚀系统使用的工艺气体主要是氧气，氮气，氩气，反应后残余气体经密封通风管道排出。年使用总机时预计约1800小时，使用年限15年. |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | 单一来源 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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