*|半导 (略) 工艺实验设备

拟购买深硅/介质高密度等离子体刻蚀系统一套，拥有深硅和介质薄膜刻蚀两套腔体，且具备全自动腔体间传输能力，满足真空状态下实现多层异质薄膜的串行刻蚀需求，具备持续升级能力。具体需求如下：1. 具备8英寸晶圆刻蚀能力；2. 介质刻蚀机射频系统配置甚高频+中频的双频射频；3. 介质刻蚀速率3000~5000 A/min，刻蚀非均匀性＜3%，侧壁垂直角度85-90°；4. 深硅刻蚀机采用双桶立体源结构；5. 深硅刻蚀机具备快速进气结构，侧壁刻蚀粗糙度≤50 nm；6. 深硅刻蚀机具备高性能静电卡盘，可承受10 kV以上高压；7. 深硅刻蚀速率≥2 μm/min，刻蚀非均匀性＜5%，侧壁垂直角度90±1°；8. 具备全自动传输模块；9. 交货周期少于12月，整套设备要求质保期内提供免费的功能性完善和技术维护，质保期满后，出现产品故障时，供应商仍需做好售后服务，及时处理解决，费用由双方共同协商；10. 供应商提供的产品必须为全新原装产品，质保不低于1年并具备成都本地服务能力。安装调试要求原厂现场安装调试和对接应用；11. 资料：免费提供全套、完整的技术资料，包括详细的说明书、操作手册和仪器维护等有关资料;12. 培训要求：公司将货物运抵客户现场后，一周内派遣资深工程师进行培训；免费提供设备安装、调试、培训等服务；13. 保修的响应时间：在质保期内接到报修电话后，24 小时内响应采购人请求，并对问题进行初步诊断，在远程检测无法排除故障的情况下，检修人员应及时到达现场处理。终身服务。

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拟购买深硅/介质高密度等离子体刻蚀系统一套，拥有深硅和介质薄膜刻蚀两套腔体，且具备全自动腔体间传输能力，满足真空状态下实现多层异质薄膜的串行刻蚀需求，具备持续升级能力。具体需求如下：1. 具备8英寸晶圆刻蚀能力；2. 介质刻蚀机射频系统配置甚高频+中频的双频射频；3. 介质刻蚀速率3000~5000 A/min，刻蚀非均匀性＜3%，侧壁垂直角度85-90°；4. 深硅刻蚀机采用双桶立体源结构；5. 深硅刻蚀机具备快速进气结构，侧壁刻蚀粗糙度≤50 nm；6. 深硅刻蚀机具备高性能静电卡盘，可承受10 kV以上高压；7. 深硅刻蚀速率≥2 μm/min，刻蚀非均匀性＜5%，侧壁垂直角度90±1°；8. 具备全自动传输模块；9. 交货周期少于12月，整套设备要求质保期内提供免费的功能性完善和技术维护，质保期满后，出现产品故障时，供应商仍需做好售后服务，及时处理解决，费用由双方共同协商；10. 供应商提供的产品必须为全新原装产品，质保不低于1年并具备成都本地服务能力。安装调试要求原厂现场安装调试和对接应用；11. 资料：免费提供全套、完整的技术资料，包括详细的说明书、操作手册和仪器维护等有关资料;12. 培训要求：公司将货物运抵客户现场后，一周内派遣资深工程师进行培训；免费提供设备安装、调试、培训等服务；13. 保修的响应时间：在质保期内接到报修电话后，24 小时内响应采购人请求，并对问题进行初步诊断，在远程检测无法排除故障的情况下，检修人员应及时到达现场处理。终身服务。