定制双腔室12靶位25样品位超高真空磁控溅射系统招标预告
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定制双腔室12靶位25样品位超高真空磁控溅射系统招标预告
| 定制双腔室12靶位25样品位超高真空磁控溅射系统 | |
| 项目所在采购意向： | 电子科技大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 电子科技大学 |
| 采购项目名称： | 定制双腔室12靶位25样品位超高真空磁控溅射系统 |
| 预算金额： | 210.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A* 真空应用设备 |
| 采购需求概况 ： | 由两个磁控溅射腔体和一个快速进样腔体组成，整体包含12个溅射靶枪和25个样品位。在不破坏超高真空的环境情况下，可以一次完成包括12种材料的25个复杂多层膜材料的制备。完全解决目前商业化小中型磁控溅射系统中因靶位和样品位不足，导致所能制备样品的种类和数量极大受到限制的问题。所需满足的重要性能指标要求包括：（1）真空腔体数量：2个样品制备腔室（#1平行对溅射模式Φ660㎜×450㎜，#2多靶共聚焦模式Φ450㎜×450㎜）；1个快速进样腔室（ф420 mm×L400mm）；（2）真空度：#1样品制备腔室和#2样品制备腔室均好于5×10-6 Pa；快速进样室好于1×10-5 Pa；（3）溅射气 (略) ：#1样品制备腔室和#2样品制备腔室各包含3条独立的溅射气 (略) （进口质量流量计）；（4）磁控溅射靶枪：#1样品制备腔室包含8个进口磁控溅射靶枪（不小于2英寸）；#2样品制备腔室包含4个进口磁控溅射靶枪（不小于2英寸）；（5）直流磁控溅射靶枪电源：包括至少5个进口直流磁控溅射电源（500W）；（6）射频磁控溅射靶枪电源和匹配箱：包含至少3套进口射频溅射电源（含匹配箱）（600 W）；（7）样品位数量：#1样品制备腔室包含18个样品位（有1位置为可加热基片，基片加热温度为室温至600℃，此位置可以加负偏压，偏压范围-5V~-200V；还有1个位置可以做液氮低温样品台的镀膜）；#2样品制备腔室包含1个样品位（衬底温度可加热到700摄氏度）；快速进样室包含6个样品位。 |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 定制双腔室12靶位25样品位超高真空磁控溅射系统 | |
| 项目所在采购意向： | 电子科技大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 电子科技大学 |
| 采购项目名称： | 定制双腔室12靶位25样品位超高真空磁控溅射系统 |
| 预算金额： | 210.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A* 真空应用设备 |
| 采购需求概况 ： | 由两个磁控溅射腔体和一个快速进样腔体组成，整体包含12个溅射靶枪和25个样品位。在不破坏超高真空的环境情况下，可以一次完成包括12种材料的25个复杂多层膜材料的制备。完全解决目前商业化小中型磁控溅射系统中因靶位和样品位不足，导致所能制备样品的种类和数量极大受到限制的问题。所需满足的重要性能指标要求包括：（1）真空腔体数量：2个样品制备腔室（#1平行对溅射模式Φ660㎜×450㎜，#2多靶共聚焦模式Φ450㎜×450㎜）；1个快速进样腔室（ф420 mm×L400mm）；（2）真空度：#1样品制备腔室和#2样品制备腔室均好于5×10-6 Pa；快速进样室好于1×10-5 Pa；（3）溅射气 (略) ：#1样品制备腔室和#2样品制备腔室各包含3条独立的溅射气 (略) （进口质量流量计）；（4）磁控溅射靶枪：#1样品制备腔室包含8个进口磁控溅射靶枪（不小于2英寸）；#2样品制备腔室包含4个进口磁控溅射靶枪（不小于2英寸）；（5）直流磁控溅射靶枪电源：包括至少5个进口直流磁控溅射电源（500W）；（6）射频磁控溅射靶枪电源和匹配箱：包含至少3套进口射频溅射电源（含匹配箱）（600 W）；（7）样品位数量：#1样品制备腔室包含18个样品位（有1位置为可加热基片，基片加热温度为室温至600℃，此位置可以加负偏压，偏压范围-5V~-200V；还有1个位置可以做液氮低温样品台的镀膜）；#2样品制备腔室包含1个样品位（衬底温度可加热到700摄氏度）；快速进样室包含6个样品位。 |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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