A*电气物理设备

原子层薄膜沉积设备采购数量：1台主要指标如下：1、镀膜材料：SiO2、Al2O3、TiO2、AlN、TiN等；2、亚纳米厚度可控三维共形薄膜；3、等离子体增强沉积模式；4、沉积基片最大尺寸：8英寸，兼容小基片，厚度≥7cm；5、入口通道：≥6条独立的前驱体入口通道；6、进样室配置load-lock系统；7、源管路控制系统：每条源管路配置独立的质量流量控制器和压力传感器；8、液体源：采用帕尔贴冷却至室温以下1~5℃可调，控制蒸汽温度始终低于器件温度，避免冷凝；9、等离子体工作压强：点火压强≥1mbar，充满的气体分子可有效阻挡电子与带电粒子的损伤，可热法与等离子体法交替使用。主要功能：原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，可以实现多类II-VI、III-V半导体、氧化物、氟化物、单质金属与半导体材料的高可控性生长，是电子器件介电层、MEMS器件、显示器件、嵌入式电容制备的核心设备。

A*电气物理设备

原子层薄膜沉积设备采购数量：1台主要指标如下：1、镀膜材料：SiO2、Al2O3、TiO2、AlN、TiN等；2、亚纳米厚度可控三维共形薄膜；3、等离子体增强沉积模式；4、沉积基片最大尺寸：8英寸，兼容小基片，厚度≥7cm；5、入口通道：≥6条独立的前驱体入口通道；6、进样室配置load-lock系统；7、源管路控制系统：每条源管路配置独立的质量流量控制器和压力传感器；8、液体源：采用帕尔贴冷却至室温以下1~5℃可调，控制蒸汽温度始终低于器件温度，避免冷凝；9、等离子体工作压强：点火压强≥1mbar，充满的气体分子可有效阻挡电子与带电粒子的损伤，可热法与等离子体法交替使用。主要功能：原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，可以实现多类II-VI、III-V半导体、氧化物、氟化物、单质金属与半导体材料的高可控性生长，是电子器件介电层、MEMS器件、显示器件、嵌入式电容制备的核心设备。