A*工业电热设备（电炉）

碳化硅薄膜外延设备采购数量：1台主要技术指标：1、 外延片尺寸：可以兼容生长4英寸和6英寸的外延片2、 外延层厚度：具有1次生长100um厚度的SiC外延生长能力3、 高速生长速率大于等于60um每小时，标准生长率大于等于30um每小时4、 背景掺杂浓度小于等于1E14cm-35、 掺杂浓度：1E15~1E19cm-3可控6、 N和P 型双腔掺杂；7、 6英寸片内厚度均匀性（σ/mean）小于1%8、 6英寸片内浓度均匀性小于6%（均匀性=σ/均值*100%，33点，距边5mm，浓度在5E15cm-3左右）；9、表面缺陷：小于等于1/cm2（厚度0～50μm）;小于等于1.5/cm2（厚度51～100μm）；10、表面粗糙度：小于等于0.3nm（厚度≤30μm）；≤0.5nm（厚度 31～50μm）； ≤0.8nm （厚度51～100μm）。表面粗糙度测试范围：10×10 μm。11、外延炉工艺温度：1600℃~1650℃；12、高速生长速率≥60μm/小时，标准生长率≥30μm/小时；主要功能：碳化硅薄膜外延设备是一种通过化学气相沉积生产碳化硅薄膜的反应器，该设备可在高温（>1600°C）和低压（约 10^-6 mbar）与大气压力（约 1000 mbar）之间的可变压力下进行薄膜生长。售后服务完善，保修期1年

A*工业电热设备（电炉）

碳化硅薄膜外延设备采购数量：1台主要技术指标：1、 外延片尺寸：可以兼容生长4英寸和6英寸的外延片2、 外延层厚度：具有1次生长100um厚度的SiC外延生长能力3、 高速生长速率大于等于60um每小时，标准生长率大于等于30um每小时4、 背景掺杂浓度小于等于1E14cm-35、 掺杂浓度：1E15~1E19cm-3可控6、 N和P 型双腔掺杂；7、 6英寸片内厚度均匀性（σ/mean）小于1%8、 6英寸片内浓度均匀性小于6%（均匀性=σ/均值*100%，33点，距边5mm，浓度在5E15cm-3左右）；9、表面缺陷：小于等于1/cm2（厚度0～50μm）;小于等于1.5/cm2（厚度51～100μm）；10、表面粗糙度：小于等于0.3nm（厚度≤30μm）；≤0.5nm（厚度 31～50μm）； ≤0.8nm （厚度51～100μm）。表面粗糙度测试范围：10×10 μm。11、外延炉工艺温度：1600℃~1650℃；12、高速生长速率≥60μm/小时，标准生长率≥30μm/小时；主要功能：碳化硅薄膜外延设备是一种通过化学气相沉积生产碳化硅薄膜的反应器，该设备可在高温（>1600°C）和低压（约 10^-6 mbar）与大气压力（约 1000 mbar）之间的可变压力下进行薄膜生长。售后服务完善，保修期1年