深圳国际量子研究院低压化学气相沉积系统采购项目意向公开
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深圳国际量子研究院低压化学气相沉积系统采购项目意向公开
| 采购单位: | 深圳国 (略) |
| 项目名称: | 低压化学气相沉积系统采购项目 |
| 预算金额（元）: | 24,500,000.000 |
| 采购品目: | 其他机械设备 |
| 采购需求概况: | 拟采购的两台低压化学气相沉积系统将主要用于超低损耗氮化硅光子集成芯片和其它光量子集成芯片的工艺开发和样品制备，并将成为深圳国 (略) 正在建设的国内顶尖的硅基光量子芯片研发中心及中试平台的重要组成部分。要求该设备具有对6寸/8寸晶圆进行高温氮气氛围退火、高温热氧化生长二氧化硅、以及低压化学气相沉积二氧化硅(LTO)、二氧化硅 (HTO)、二氧化硅(TEOS) 和氮化硅等薄膜沉积工艺。其中高温退火炉管可以达到1200℃以上的高温，低压化学气相沉积氮化硅炉管可以沉积厚低应力氮化硅薄膜以及化学计量比氮化硅薄膜。 |
| 预计采购时间: | 2022-12 |
| 联系人: | 刘老师 |
| 联系电话: | 0755-* |
| 备注: | 无 |
| 采购单位: | 深圳国 (略) |
| 项目名称: | 低压化学气相沉积系统采购项目 |
| 预算金额（元）: | 24,500,000.000 |
| 采购品目: | 其他机械设备 |
| 采购需求概况: | 拟采购的两台低压化学气相沉积系统将主要用于超低损耗氮化硅光子集成芯片和其它光量子集成芯片的工艺开发和样品制备，并将成为深圳国 (略) 正在建设的国内顶尖的硅基光量子芯片研发中心及中试平台的重要组成部分。要求该设备具有对6寸/8寸晶圆进行高温氮气氛围退火、高温热氧化生长二氧化硅、以及低压化学气相沉积二氧化硅(LTO)、二氧化硅 (HTO)、二氧化硅(TEOS) 和氮化硅等薄膜沉积工艺。其中高温退火炉管可以达到1200℃以上的高温，低压化学气相沉积氮化硅炉管可以沉积厚低应力氮化硅薄膜以及化学计量比氮化硅薄膜。 |
| 预计采购时间: | 2022-12 |
| 联系人: | 刘老师 |
| 联系电话: | 0755-* |
| 备注: | 无 |
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