A*电子工业专用生产设备

干法刻蚀设备主要功能： 深硅刻蚀，设备处于领先水平，采购1台，主要技术：真空反应室：提供工艺过程中的真空环境，包括内衬、静电卡盘、真空计、真空开关等。腔室本底真空 ＜0.5 mTorr；腔室漏气率 ＜1.0 mTorr/min；控压范围2~250 mTorr控压精度0.1 mTorr；静电卡盘ESC 尺寸200mm（8inch notch）；Wafer尺寸、厚度及类型Si 8inch 750um Si wafer；下电极温度范围(CHILLER) -20~40℃下电极控温精度(CHILLER) ±0.5℃；下电极控温均匀性(ESC) ±0.5℃等离子体系统： 提供 等离子体源和偏压控制， 包括 射频 电源、 全自动 匹配器 等；立体源SRF1可用功率范围13.56MHz：500~2800W；立体源SRF2可用功率范围13.56MHz：500~2800W；下电极LF可用功率范围400KHz: 40~400W匹配稳定时间< 3 s；匹配精确度上电极：±1%设定值或±5W，下电极：±10%设定值气路输送系统：提供Ar/SF6/C4F8/CF4等工艺气体，包括 MFC 、气动阀门等。排气系统： 用于 反应副产物的排出，包括摆阀、分子泵、干泵等；分子泵抽速2200L/s，干泵抽速为518m3/Hr。温度控制系统：用于工艺过程中的温度参数控制，包括加热器、控制器等。传输模块： 机械手，进行晶片的传输售后要求：售后服务较好，设备质保时间久

A*电子工业专用生产设备

干法刻蚀设备主要功能： 深硅刻蚀，设备处于领先水平，采购1台，主要技术：真空反应室：提供工艺过程中的真空环境，包括内衬、静电卡盘、真空计、真空开关等。腔室本底真空 ＜0.5 mTorr；腔室漏气率 ＜1.0 mTorr/min；控压范围2~250 mTorr控压精度0.1 mTorr；静电卡盘ESC 尺寸200mm（8inch notch）；Wafer尺寸、厚度及类型Si 8inch 750um Si wafer；下电极温度范围(CHILLER) -20~40℃下电极控温精度(CHILLER) ±0.5℃；下电极控温均匀性(ESC) ±0.5℃等离子体系统： 提供 等离子体源和偏压控制， 包括 射频 电源、 全自动 匹配器 等；立体源SRF1可用功率范围13.56MHz：500~2800W；立体源SRF2可用功率范围13.56MHz：500~2800W；下电极LF可用功率范围400KHz: 40~400W匹配稳定时间< 3 s；匹配精确度上电极：±1%设定值或±5W，下电极：±10%设定值气路输送系统：提供Ar/SF6/C4F8/CF4等工艺气体，包括 MFC 、气动阀门等。排气系统： 用于 反应副产物的排出，包括摆阀、分子泵、干泵等；分子泵抽速2200L/s，干泵抽速为518m3/Hr。温度控制系统：用于工艺过程中的温度参数控制，包括加热器、控制器等。传输模块： 机械手，进行晶片的传输售后要求：售后服务较好，设备质保时间久