深圳技术大学政府投资项目—紫外光刻机系统意向公开
深圳技术大学政府投资项目—紫外光刻机系统意向公开
采购单位: | 深圳技术大学 |
项目名称: | 政府投资项目—紫外光刻机系统 |
预算金额(元): | 2,000,000.000 |
采购品目: | 其他专用仪器仪表 |
采购需求概况: | 采购紫外光刻机一台,指标如下: 1.1芯片尺寸:最大6英寸圆片,配置对应夹具即可向下兼容各类不同尺寸基片; 1.2具有稳定可靠的三轴式芯片厚度补偿系统,可对芯片进行自调平和真空吸附。 1.3全Windows操作系统,图形化软件界面,22寸触摸显示屏;软件具有工艺编程、设备控制、硬件自我故障诊断功能,工艺操作方便快捷。 1.4具有图像采集及图像存储功能,用于光刻的正面图形的精确对准; 1.5可自由进行曝光过程的工艺程序编写,并可自动存储每个工艺过程; 1.6分级式用户管理,可设置多个用户,方便设备管理; 1.7具有相差、亮度、放大倍数等调节功能。 1.8配置专用的操作摇杆,由摇杆进行显微镜、对准台等部件的移动和操作。设备操作人员通过操纵杆手动控制设备,整个对准过程由人工进行标记识别,对准台移动全人工控制,自由设定对准偏移量,保证最大工艺灵活度。 1.9曝光波长:365nm, 405nm 以及436nm; 1.10★UV-LED光源系统,由I-line(365nm),H-line(405nm)以及G-line(436nm),三种波长LED灯阵列组成,使用简单,可在程序里编程选择曝光波长; 1.11▲曝光光强:40 mW/cm2 @365nm,100 mW/cm2 @405nm 1.12光强可调范围宽,从15%~100%可调 1.13分辨率:优于0.8?m(光刻胶厚度1微米时,等间距图形) 1.14套刻精度:正面套刻精度±0.5?m 1.15▲光强均匀度:优于±2.5%; 1.16▲配置消衍射及微透镜式光学系统,可在同一设备上实现“高分辨率”和“大景深”两种模式曝光,两种模式随时切换; 1.17曝光模式:可支持硬接触、软接触、接近和真空等模式; 1.18曝光电源:支持恒定剂量和恒定功率模式曝光; 1.19正面显微镜采用全数字分离视场显微镜 1.20显微镜物镜: 5倍,11.25倍(8毫米小间距) 1.21显微镜倍率:112X ~ 896X 1.22屏幕分辨率:0.8um/像素 1.23★显微镜分离距离调节范围:物镜间距最小可达8mm; 1.24显微镜调节范围:X方向:-10-100mm;Y方向:±21mm; 1.25▲支持大景深光刻对准技术,显微镜对准景深高达400μm。 1.26▲对准台具体全自动非接触式芯片厚度补偿系统,可全自动完成芯片厚度补偿,侧向锁定方式,找平时3小球隔离掩膜板与基片,减少掩膜板沾污,且整个过程中芯片无需接触掩膜版,非接触间隙:2000±1μm 1.27对准台行程的范围: X:±5mm; Y:±5mm; θ:±5° 1.28对准台机械调节分辨率:不低于0.04um 1.29对准台角度调节分辨率:不低于0.00001deg |
联系人: | 宋秋明 |
联系电话: | * |
预计采购时间: | 2023-12 |
备注: | 无 |
采购单位: | 深圳技术大学 |
项目名称: | 政府投资项目—紫外光刻机系统 |
预算金额(元): | 2,000,000.000 |
采购品目: | 其他专用仪器仪表 |
采购需求概况: | 采购紫外光刻机一台,指标如下: 1.1芯片尺寸:最大6英寸圆片,配置对应夹具即可向下兼容各类不同尺寸基片; 1.2具有稳定可靠的三轴式芯片厚度补偿系统,可对芯片进行自调平和真空吸附。 1.3全Windows操作系统,图形化软件界面,22寸触摸显示屏;软件具有工艺编程、设备控制、硬件自我故障诊断功能,工艺操作方便快捷。 1.4具有图像采集及图像存储功能,用于光刻的正面图形的精确对准; 1.5可自由进行曝光过程的工艺程序编写,并可自动存储每个工艺过程; 1.6分级式用户管理,可设置多个用户,方便设备管理; 1.7具有相差、亮度、放大倍数等调节功能。 1.8配置专用的操作摇杆,由摇杆进行显微镜、对准台等部件的移动和操作。设备操作人员通过操纵杆手动控制设备,整个对准过程由人工进行标记识别,对准台移动全人工控制,自由设定对准偏移量,保证最大工艺灵活度。 1.9曝光波长:365nm, 405nm 以及436nm; 1.10★UV-LED光源系统,由I-line(365nm),H-line(405nm)以及G-line(436nm),三种波长LED灯阵列组成,使用简单,可在程序里编程选择曝光波长; 1.11▲曝光光强:40 mW/cm2 @365nm,100 mW/cm2 @405nm 1.12光强可调范围宽,从15%~100%可调 1.13分辨率:优于0.8?m(光刻胶厚度1微米时,等间距图形) 1.14套刻精度:正面套刻精度±0.5?m 1.15▲光强均匀度:优于±2.5%; 1.16▲配置消衍射及微透镜式光学系统,可在同一设备上实现“高分辨率”和“大景深”两种模式曝光,两种模式随时切换; 1.17曝光模式:可支持硬接触、软接触、接近和真空等模式; 1.18曝光电源:支持恒定剂量和恒定功率模式曝光; 1.19正面显微镜采用全数字分离视场显微镜 1.20显微镜物镜: 5倍,11.25倍(8毫米小间距) 1.21显微镜倍率:112X ~ 896X 1.22屏幕分辨率:0.8um/像素 1.23★显微镜分离距离调节范围:物镜间距最小可达8mm; 1.24显微镜调节范围:X方向:-10-100mm;Y方向:±21mm; 1.25▲支持大景深光刻对准技术,显微镜对准景深高达400μm。 1.26▲对准台具体全自动非接触式芯片厚度补偿系统,可全自动完成芯片厚度补偿,侧向锁定方式,找平时3小球隔离掩膜板与基片,减少掩膜板沾污,且整个过程中芯片无需接触掩膜版,非接触间隙:2000±1μm 1.27对准台行程的范围: X:±5mm; Y:±5mm; θ:±5° 1.28对准台机械调节分辨率:不低于0.04um 1.29对准台角度调节分辨率:不低于0.00001deg |
联系人: | 宋秋明 |
联系电话: | * |
预计采购时间: | 2023-12 |
备注: | 无 |
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