深圳技术大学政府投资项目-LPCVD高温炉管意向公开
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深圳技术大学政府投资项目-LPCVD高温炉管意向公开
| 采购单位: | 深圳技术大学 |
| 项目名称: | 政府投资项目-LPCVD高温炉管 |
| 预算金额（元）: | 2,600,000.000 |
| 采购品目: | 其他专用仪器仪表 |
| 采购需求概况: | 拟购置的LPCVD高温炉管一套，配置参数包括： 1.拥有 3 套工艺管，分别用于 8寸及以下硅片沉积TEOS(SiO2)、Poly-Si， Si3N4 薄膜； 2.可控温度范围：不低于500-1150℃，控温精度：±0.5℃，单点温度稳定性：±1℃/12hours； 3.TEOS(SiO2)、Si3N4、POLY-Si薄膜沉积性能（8寸）：片内厚度均匀性≤±5%，片间厚度均匀性≤±5%，炉间厚度均匀性≤±5%； 4.整机由五大部分构成，即电气控制系统、炉体机箱（含排毒箱、炉门机构、反应室、气路系统）、净化工作台、送料装置、真空系统柜(干泵、压控系统)。 |
| 联系人: | 吴国才 |
| 联系电话: | 0755-* |
| 预计采购时间: | 2023-01 |
| 备注: | 无 |
| 采购单位: | 深圳技术大学 |
| 项目名称: | 政府投资项目-LPCVD高温炉管 |
| 预算金额（元）: | 2,600,000.000 |
| 采购品目: | 其他专用仪器仪表 |
| 采购需求概况: | 拟购置的LPCVD高温炉管一套，配置参数包括： 1.拥有 3 套工艺管，分别用于 8寸及以下硅片沉积TEOS(SiO2)、Poly-Si， Si3N4 薄膜； 2.可控温度范围：不低于500-1150℃，控温精度：±0.5℃，单点温度稳定性：±1℃/12hours； 3.TEOS(SiO2)、Si3N4、POLY-Si薄膜沉积性能（8寸）：片内厚度均匀性≤±5%，片间厚度均匀性≤±5%，炉间厚度均匀性≤±5%； 4.整机由五大部分构成，即电气控制系统、炉体机箱（含排毒箱、炉门机构、反应室、气路系统）、净化工作台、送料装置、真空系统柜(干泵、压控系统)。 |
| 联系人: | 吴国才 |
| 联系电话: | 0755-* |
| 预计采购时间: | 2023-01 |
| 备注: | 无 |
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