上海交通大学2023年1月政府采购意向-高深宽比介质干法刻蚀系统-A032103电子工业专用生产设备-预算金额550.000000万元(人民币)
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上海交通大学2023年1月政府采购意向-高深宽比介质干法刻蚀系统-A032103电子工业专用生产设备-预算金额550.000000万元(人民币)
| 高深宽比介质干法刻蚀系统 | |
| 项目所在采购意向： | 上海交通大学2023年1月政府采购意向 |
| 采购单位： | 上海交通大学 |
| 采购项目名称： | 高深宽比介质干法刻蚀系统 |
| 预算金额： | 550.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*电子工业专用生产设备 |
| 采购需求概况： | 高深宽比介质干法刻蚀系统用于高深宽比SiO2及玻璃的RIE刻蚀。设备的主要性能指标如下：基片尺寸：最大支持6英寸，并向下兼容4英寸和破片；射频电源：ICP电源：13.56MHz，1500W; 偏压电源：13.56MHz，300W；工艺温度：10℃到30℃可控 |
| 预计采购时间： | 2023-01 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 高深宽比介质干法刻蚀系统 | |
| 项目所在采购意向： | 上海交通大学2023年1月政府采购意向 |
| 采购单位： | 上海交通大学 |
| 采购项目名称： | 高深宽比介质干法刻蚀系统 |
| 预算金额： | 550.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*电子工业专用生产设备 |
| 采购需求概况： | 高深宽比介质干法刻蚀系统用于高深宽比SiO2及玻璃的RIE刻蚀。设备的主要性能指标如下：基片尺寸：最大支持6英寸，并向下兼容4英寸和破片；射频电源：ICP电源：13.56MHz，1500W; 偏压电源：13.56MHz，300W；工艺温度：10℃到30℃可控 |
| 预计采购时间： | 2023-01 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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