其他专用仪器仪表

ICP-RIE刻蚀设备1套，主要用于6英寸（向下兼容）硅、氧化硅、氮化硅材料的刻蚀。系统由预真空室(Loadlock)、自动传片系统、真空工艺室、真空测量和控制系统、工艺气体配送管路和控制系统、RF电源和自动匹配器等部分组成。主要技术参数包括：（1）具有硅光栅和微孔阵列的能力，满足特征尺寸（CD）200 nm及以下线条特征尺寸的刻蚀能力，刻蚀速率：≥200nm/min，陡直度：90±2°，（2）Source电源1100W，bias电源1000W，频率13.56MHz，带自动匹配器；（3）工艺气体采用MFC控制，MFC的配备满足所列明的材料的工艺刻蚀要求，配备6路工艺气体C4F8、O2、Ar、CF4、SF6、CHF3，预留可拓展位置。（4）工艺腔室分子泵, 抽速>1300L/s, 前级泵采用抽速>100m3/hr ，预真空室干泵（不可与主腔室共用），抽速>35m3/hr；要求设备具有高效的真空系统，在样品送入真空腔室后能够在30分钟内达到本底真空度(RH？70%)<2*10-3Torr；极限真空度(在12小时以内) 小于5*10-6Torr。供货期:合同签订后6个月内，质保期大于1年。提供全套设备使用培训直到用户能够独立使用。

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ICP-RIE刻蚀设备1套，主要用于6英寸（向下兼容）硅、氧化硅、氮化硅材料的刻蚀。系统由预真空室(Loadlock)、自动传片系统、真空工艺室、真空测量和控制系统、工艺气体配送管路和控制系统、RF电源和自动匹配器等部分组成。主要技术参数包括：（1）具有硅光栅和微孔阵列的能力，满足特征尺寸（CD）200 nm及以下线条特征尺寸的刻蚀能力，刻蚀速率：≥200nm/min，陡直度：90±2°，（2）Source电源1100W，bias电源1000W，频率13.56MHz，带自动匹配器；（3）工艺气体采用MFC控制，MFC的配备满足所列明的材料的工艺刻蚀要求，配备6路工艺气体C4F8、O2、Ar、CF4、SF6、CHF3，预留可拓展位置。（4）工艺腔室分子泵, 抽速>1300L/s, 前级泵采用抽速>100m3/hr ，预真空室干泵（不可与主腔室共用），抽速>35m3/hr；要求设备具有高效的真空系统，在样品送入真空腔室后能够在30分钟内达到本底真空度(RH？70%)<2*10-3Torr；极限真空度(在12小时以内) 小于5*10-6Torr。供货期:合同签订后6个月内，质保期大于1年。提供全套设备使用培训直到用户能够独立使用。