中国科学院微电子研究所2023年4至12月政府采购意向-SOI硅片-A07010343-PVC石英砂制成品-预算金额280.000000万元(人民币)
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中国科学院微电子研究所2023年4至12月政府采购意向-SOI硅片-A07010343-PVC石英砂制成品-预算金额280.000000万元(人民币)
| SOI硅片 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2023年4至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | SOI硅片 |
| 预算金额： | 280.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-PVC石英砂制成品 |
| 采购需求概况： | FDSOI是全耗尽型绝缘衬底上硅技术，在体硅中引入了超薄的埋氧（BOX）层作为绝缘层，具有功耗低、速度快、抗辐射、可靠性高的特点，工艺步骤简单，生产周期短。相比主流FinFET技术，SOI技术工艺简单，相同功耗下具有更高的性能，在低功耗、高速度和高集成度上性能更优。为顺利实施项目年度计划，完成攻关任务，需要大量的SOI晶圆进行工艺流片。 |
| 预计采购时间： | 2023-05 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| SOI硅片 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2023年4至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | SOI硅片 |
| 预算金额： | 280.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-PVC石英砂制成品 |
| 采购需求概况： | FDSOI是全耗尽型绝缘衬底上硅技术，在体硅中引入了超薄的埋氧（BOX）层作为绝缘层，具有功耗低、速度快、抗辐射、可靠性高的特点，工艺步骤简单，生产周期短。相比主流FinFET技术，SOI技术工艺简单，相同功耗下具有更高的性能，在低功耗、高速度和高集成度上性能更优。为顺利实施项目年度计划，完成攻关任务，需要大量的SOI晶圆进行工艺流片。 |
| 预计采购时间： | 2023-05 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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