中国科学院微电子研究所2023年4至12月政府采购意向-超低损伤复杂结构干法刻蚀系统-A02330300-电子工业生产设备-预算金额435.000000万元(人民币)

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中国科学院微电子研究所2023年4至12月政府采购意向-超低损伤复杂结构干法刻蚀系统-A02330300-电子工业生产设备-预算金额435.000000万元(人民币)

超低损伤复杂结构干法刻蚀系统
项目所在采购意向: (略) 微电子研究所2023年4至12月政府采购意向
采购单位: (略) 微电子研究所
采购项目名称:超低损伤复杂结构干法刻蚀系统
预算金额:435.*万元(人民币)
采购品目:
A*-电子工业生产设备
采购需求概况:
采购标的名称:超低损伤复杂结构干法刻蚀系统主要功能:用于刻蚀多层氧化物、金属材料堆叠结构,实现低损伤、高精度刻蚀,实现复杂形貌刻蚀。采购标的数量:1台质量要求:1、兼容8寸及以下晶圆、不规则衬底;2、配置最大功率1000W以上的高功率ICP源,2个射频RF源(不同工艺需求智能切换)、高电导率的真空系统、高效率热传导基板、高精度激光止点探测器、高效等离子清洁、脉冲控制模块、双层石英腔壁、易更换的石英内衬;3、反应腔内可控的衬底温度范围:-30℃到+150℃;4、可实现原子层级低损伤刻蚀,该模式下最低启辉射频功率5W,刻蚀速率低至1-2nm/min。服务、安全、时限等要求:提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。
预计采购时间:2023-10
备注:

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

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超低损伤复杂结构干法刻蚀系统
项目所在采购意向: (略) 微电子研究所2023年4至12月政府采购意向
采购单位: (略) 微电子研究所
采购项目名称:超低损伤复杂结构干法刻蚀系统
预算金额:435.*万元(人民币)
采购品目:
A*-电子工业生产设备
采购需求概况:
采购标的名称:超低损伤复杂结构干法刻蚀系统主要功能:用于刻蚀多层氧化物、金属材料堆叠结构,实现低损伤、高精度刻蚀,实现复杂形貌刻蚀。采购标的数量:1台质量要求:1、兼容8寸及以下晶圆、不规则衬底;2、配置最大功率1000W以上的高功率ICP源,2个射频RF源(不同工艺需求智能切换)、高电导率的真空系统、高效率热传导基板、高精度激光止点探测器、高效等离子清洁、脉冲控制模块、双层石英腔壁、易更换的石英内衬;3、反应腔内可控的衬底温度范围:-30℃到+150℃;4、可实现原子层级低损伤刻蚀,该模式下最低启辉射频功率5W,刻蚀速率低至1-2nm/min。服务、安全、时限等要求:提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。
预计采购时间:2023-10
备注:

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

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