快速退火炉项目所在采购意向：中国科学技术大学2023年4至6月政府采购意向采购单位：中国科学技术大学采购项目名称：快速退火炉预算金额：120.*万元(人民币)采购品目：
A*其他仪器仪表采购需求概况 ：
"作为半导体器件制备工艺中核心步骤之一，快速退火炉是重要的设备，是制备半导体器件必须要有的工艺设备。用于电极制备，欧姆接触电极和重要半导体材料的后处理的核心工艺之一。。8英寸尺寸，快速升温从室温到1250度，升温速度30度每秒，温度均匀性 ≦600℃?3℃、>600℃?0.5%；温度重现性 ?1℃ ；多个气体管道通道；可抽真空，单相底压: {5?10-2 Torr}，腔体压力控制范围：30mtorr ~ 100mtorr。"预计采购时间：2023-06备注：

快速退火炉项目所在采购意向：中国科学技术大学2023年4至6月政府采购意向采购单位：中国科学技术大学采购项目名称：快速退火炉预算金额：120.*万元(人民币)采购品目：
A*其他仪器仪表采购需求概况 ：
"作为半导体器件制备工艺中核心步骤之一，快速退火炉是重要的设备，是制备半导体器件必须要有的工艺设备。用于电极制备，欧姆接触电极和重要半导体材料的后处理的核心工艺之一。。8英寸尺寸，快速升温从室温到1250度，升温速度30度每秒，温度均匀性 ≦600℃?3℃、>600℃?0.5%；温度重现性 ?1℃ ；多个气体管道通道；可抽真空，单相底压: {5?10-2 Torr}，腔体压力控制范围：30mtorr ~ 100mtorr。"预计采购时间：2023-06备注：