zycgr210708012023年4至12月政府意向-高迁移率III-V族半导体纳米线分子束外延系统-A02110204半导体器件参数测量仪-预算金额810.000000万元(人民币)招标预告
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zycgr210708012023年4至12月政府意向-高迁移率III-V族半导体纳米线分子束外延系统-A02110204半导体器件参数测量仪-预算金额810.000000万元(人民币)招标预告
| 高迁移率III-V族半导体纳米线分子束外延系统 | |
| 项目所在采购意向： | zycgr*年4至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | zycgr* |
| 采购项目名称： | 高迁移率III-V族半导体纳米线分子束外延系统 |
| 预算金额： | 810.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*半导体器件参数测量仪 |
| 采购需求概况 ： | 分子束外延（MBE）是当今样品制备方法中对样品生长与品质可控性最为精确的生长技术，是制备高质量具有原子级平整界面的半导体/超导体异质结材料必不可少的实验平台。2、采购数量：1台。满足要求：生长室真空度优于10-8Pa；配备In、As、Ga、Sb及超导Al、Sn等8只源炉；衬底加热器温控范围：77 K-800℃；原位RHEED检测系统。 |
| 预计采购时间： | 2023-06 |
| 高迁移率III-V族半导体纳米线分子束外延系统 | |
| 项目所在采购意向： | zycgr*年4至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | zycgr* |
| 采购项目名称： | 高迁移率III-V族半导体纳米线分子束外延系统 |
| 预算金额： | 810.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*半导体器件参数测量仪 |
| 采购需求概况 ： | 分子束外延（MBE）是当今样品制备方法中对样品生长与品质可控性最为精确的生长技术，是制备高质量具有原子级平整界面的半导体/超导体异质结材料必不可少的实验平台。2、采购数量：1台。满足要求：生长室真空度优于10-8Pa；配备In、As、Ga、Sb及超导Al、Sn等8只源炉；衬底加热器温控范围：77 K-800℃；原位RHEED检测系统。 |
| 预计采购时间： | 2023-06 |
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