高性能隔离电路工艺芯片流片招标预告
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高性能隔离电路工艺芯片流片招标预告
| 采购项目名称 | 参考规格型号 | 采购数量 | 备注 |
| 高性能隔离电路工艺芯片流片 | 1 境内180nm BCD工艺平台；2 CORE电压 1.8V，IO电压 5V；3 包含金属层数：不少于6层；4 顶层金属厚度：不小于25K；5 流片形式：NTO工程批；6 PAD结构：支持CUP；7 晶圆尺寸：8英寸；交付物：晶圆不少于6片；工艺报告，掩膜层次报告。 | 1.0 |
| 采购项目名称 | 参考规格型号 | 采购数量 | 备注 |
| 高性能隔离电路工艺芯片流片 | 1 境内180nm BCD工艺平台；2 CORE电压 1.8V，IO电压 5V；3 包含金属层数：不少于6层；4 顶层金属厚度：不小于25K；5 流片形式：NTO工程批；6 PAD结构：支持CUP；7 晶圆尺寸：8英寸；交付物：晶圆不少于6片；工艺报告，掩膜层次报告。 | 1.0 |
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