序号

采购项目名称

需求概况

初步技术
参数

预算金额

（万元）

预计采购时间

备注

1

全自动双沉积腔原子层沉积设备

全自动双沉积腔原子层沉积设备1套

1、报价应为人民币（含税）且包括服务、售后、运输费等全部费用。

2、所有产品价 (略) 场调价政策而调整。*方除非因*方需求改变或经*方同意，且不得增加任何费用。

3、*方提供的物资质量应符合国家标准。各项技术性能指标必须达到合同和技术文件规定的要求。

4、合同生效后，*方在12个月内完成货品运输、安装及调试

5、提供1年免费维保；

6、包装及资料全新未使用。

7、不能公开项目采购相关信息，包括数量及用途等，涉及物资的全部技术资料等未经*方同意*方不得向社会公开。

1.设备主体：

★1.1设备主腔体采用双腔（等离子腔+反应腔）热壁反应腔室设计。反应室腔体外壁无需水冷即可保持温度低于60摄氏度（确保接触安全）。

1.2通过反应腔内的加热部件同时对衬底与反应腔体壁加热，衬底可被加热至400℃，腔壁可被加热至100℃，衬底配置额外的高温模块可单独加热至500℃以上。

★1.3反应腔体可以用来沉积8英寸（200毫米）的衬底，兼容8英寸以下的衬底。

1.4反应腔体的密封盖通过电动升降机自动开关，同时反应腔体与等离子腔体之间配置计算机控制的自动隔离阀（等离子体快门）。

★1.5反应腔本底真空优于1E-2 mbar (0.01 hp)；反应腔真空漏率优于2E-4 mbar？l/s；反应腔配置薄膜电容真空计做为压强传感器，满量程1托，分辨率 0.001%满量程；

2. 前驱源及管路系统：

2.1配置的每条管路均须配置质量流量计、脉冲阀，液态源与加热源分别配置独立的温度传感器。每条管线分别与载气连接，用于提高脉冲的前驱体流速并使前驱体均匀分散到衬底上；MFC 量程根据原子层沉积工艺确定；流速可预设。

2.2前驱体气体在衬底上的流动模式：气流通过Showerhead自上而下流经样品表面。

2.3设备最多可配置6条独立的前驱体源管路，分别对应反应腔体上4个完全独立的前驱体源入口。

2.4配置2套加热源系统包含源瓶、温控管路、脉冲阀门与热绝缘器; 加热源料瓶容积不小于300 ml，加热温度不低于200℃。

2.5配置4套常温液态源系统包含液态源瓶、管道与脉冲阀门，适用于高蒸气压的液态前驱体。容积不小于300ml，配置手动隔离阀。每路管路可加热到最高200℃。

2.6 配置臭氧发生器

3.可实现远程等离子体增强功能

3.1等离子体源须采用真远程CCP等离子体方式，等离子体不直接照射于样品、防止对样品表面的损伤（包括离子轰击、紫外辐照所造成的损伤）；且制备温度可低于100℃。等离子体源的射频功率≥300 W，频率13.56 MHz；

★3.2至少2路独立的等离子体工艺气体管路，最多可扩展至7路。配置至少1路腐蚀性气体管路（NH3）、采用by-pass管路设计。

3.3为保证操作的灵活性，无需装卸等离子体发生器及相应的气体管路就可以直接使用等离子体。软件自动控制系统进入或离开等离子体ALD的工作模式。

4. 真空泵要求：

符合 ALD 沉积要求，原装进口干泵，抽速不小于500立方米/小时。

5.真空泵前尾气处理系统的要求：真空管路配置冷阱Vapor trap。

6.预真空系统：

配备预真空室（Load lock），提供样品基底传片装置，传片装置须通过门阀系统与反应腔集成，以确保在不打开反应腔的情况下进行样品的装卸；预真空室配置单独的干泵、真空计，本底真空≤0.1 mbar；漏率≤1E-3 mbar.l/s；

7. 采用激光椭偏仪进行原位实时监测薄膜生长过程、膜厚的在线测量，可对膜厚进行精确的控制。

★8.300℃下，在6英寸wafer上，采用TMA和H₂O沉积50nm Al₂O₃，薄膜均匀性≤2%（1-sigma，除去边缘5mm）。

650

2023.8

合计

650万

序号

采购项目名称

需求概况

初步技术
参数

预算金额

（万元）

预计采购时间

备注

1

全自动双沉积腔原子层沉积设备

全自动双沉积腔原子层沉积设备1套

1、报价应为人民币（含税）且包括服务、售后、运输费等全部费用。

2、所有产品价 (略) 场调价政策而调整。*方除非因*方需求改变或经*方同意，且不得增加任何费用。

3、*方提供的物资质量应符合国家标准。各项技术性能指标必须达到合同和技术文件规定的要求。

4、合同生效后，*方在12个月内完成货品运输、安装及调试

5、提供1年免费维保；

6、包装及资料全新未使用。

7、不能公开项目采购相关信息，包括数量及用途等，涉及物资的全部技术资料等未经*方同意*方不得向社会公开。

1.设备主体：

★1.1设备主腔体采用双腔（等离子腔+反应腔）热壁反应腔室设计。反应室腔体外壁无需水冷即可保持温度低于60摄氏度（确保接触安全）。

1.2通过反应腔内的加热部件同时对衬底与反应腔体壁加热，衬底可被加热至400℃，腔壁可被加热至100℃，衬底配置额外的高温模块可单独加热至500℃以上。

★1.3反应腔体可以用来沉积8英寸（200毫米）的衬底，兼容8英寸以下的衬底。

1.4反应腔体的密封盖通过电动升降机自动开关，同时反应腔体与等离子腔体之间配置计算机控制的自动隔离阀（等离子体快门）。

★1.5反应腔本底真空优于1E-2 mbar (0.01 hp)；反应腔真空漏率优于2E-4 mbar？l/s；反应腔配置薄膜电容真空计做为压强传感器，满量程1托，分辨率 0.001%满量程；

2. 前驱源及管路系统：

2.1配置的每条管路均须配置质量流量计、脉冲阀，液态源与加热源分别配置独立的温度传感器。每条管线分别与载气连接，用于提高脉冲的前驱体流速并使前驱体均匀分散到衬底上；MFC 量程根据原子层沉积工艺确定；流速可预设。

2.2前驱体气体在衬底上的流动模式：气流通过Showerhead自上而下流经样品表面。

2.3设备最多可配置6条独立的前驱体源管路，分别对应反应腔体上4个完全独立的前驱体源入口。

2.4配置2套加热源系统包含源瓶、温控管路、脉冲阀门与热绝缘器; 加热源料瓶容积不小于300 ml，加热温度不低于200℃。

2.5配置4套常温液态源系统包含液态源瓶、管道与脉冲阀门，适用于高蒸气压的液态前驱体。容积不小于300ml，配置手动隔离阀。每路管路可加热到最高200℃。

2.6 配置臭氧发生器

3.可实现远程等离子体增强功能

3.1等离子体源须采用真远程CCP等离子体方式，等离子体不直接照射于样品、防止对样品表面的损伤（包括离子轰击、紫外辐照所造成的损伤）；且制备温度可低于100℃。等离子体源的射频功率≥300 W，频率13.56 MHz；

★3.2至少2路独立的等离子体工艺气体管路，最多可扩展至7路。配置至少1路腐蚀性气体管路（NH3）、采用by-pass管路设计。

3.3为保证操作的灵活性，无需装卸等离子体发生器及相应的气体管路就可以直接使用等离子体。软件自动控制系统进入或离开等离子体ALD的工作模式。

4. 真空泵要求：

符合 ALD 沉积要求，原装进口干泵，抽速不小于500立方米/小时。

5.真空泵前尾气处理系统的要求：真空管路配置冷阱Vapor trap。

6.预真空系统：

配备预真空室（Load lock），提供样品基底传片装置，传片装置须通过门阀系统与反应腔集成，以确保在不打开反应腔的情况下进行样品的装卸；预真空室配置单独的干泵、真空计，本底真空≤0.1 mbar；漏率≤1E-3 mbar.l/s；

7. 采用激光椭偏仪进行原位实时监测薄膜生长过程、膜厚的在线测量，可对膜厚进行精确的控制。

★8.300℃下，在6英寸wafer上，采用TMA和H₂O沉积50nm Al₂O₃，薄膜均匀性≤2%（1-sigma，除去边缘5mm）。

650

2023.8

合计

650万