序号

采购项目名称

需求概况

初步技术
参数

预算金额

（万元）

预计采购时间

备注

1

超高真空双腔磁控溅射系统

超高真空双腔磁控溅射系统1套

1、报价应为人民币（含税）且包括服务、售后、运输费等全部费用。

2、所有产品价 (略) 场调价政策而调整。*方除非因*方需求改变或经*方同意，且不得增加任何费用。

3、*方提供的物资质量应符合国家标准。各项技术性能指标必须达到合同和技术文件规定的要求。

4、合同生效后，*方在12个月内完成货品运输、安装及调试

5、提供1年免费维保；

6、包装及资料全新未使用。

7、不能公开项目采购相关信息，包括数量及用途等，涉及物资的全部技术资料等未经*方同意*方不得向社会公开。

1. 主反应腔室系统

1.1 圆柱体超高真空反应腔体，材质为304不锈钢；腔体上盖采用橡胶圈密封，底部采用金属密封；

1.2 样品台具备溅射4英寸及以下尺寸基片的能力，可在0~40RPM的范围内转动；样品台可在氧气环境下加热，最高加热温度不低于850℃，PID温控精度等于或优于±1℃；

1.3 至少配置8套2英寸超高真空靶枪，所有靶枪向上溅射，共焦设计及防氧化设计；后续可升级为强磁靶枪均，可支持非磁性材料和磁性材料工作模式的切换，可兼容3mm厚磁性材料；可进行反应溅射和低压运行，工作距离可调节；所有靶枪均须配备独立的气动挡板和套筒，防止靶材交叉污染；

1.4 所有靶枪磁铁全部采用稀土磁铁材质，可被烘干至200℃，适应真空度10^-11 Torr环境，无需在烘干系统前移除磁铁。磁铁安装在水冷系统外，确保后续维护、清洁、故障排除和维修的便利；

1.5 靶枪电源包括：至少2套750W直流电源（自带4路切换器）；至少1套300W射频电源，带射频电源4路切换器、自动匹配网络及输出电缆；

1.6 主腔体至少配备2个观察窗，并且预留RHEED等备用集成接口，满足后学升级需求；

1.7 薄膜均匀性（SiO2)：±2.5% @ 4英寸硅片（去除边缘5mm）；

2. 真空系统

2.1 主腔体配置国际知名品牌Pfeiffer宽量程涡轮分子泵，抽速不低于700l/s；以及Kashiyama气冷罗茨泵，抽速不低于8.8 cfm；极限真空可达到5×10^-8Torr；

2.2 真空控制器同时显示3个真空计输出：裸离子规，对流真空计，0.1 Torr Baratron真空计；

3. 气路和气压控制系统

3.1 至少配置3路MKS或同级别品牌质量流量控制气路(Ar-50sccm、N₂/O₂-10sccm)，带独立的气动隔离阀和过滤器；

3.2 VAT闭环自动压力控制/隔离阀；阀门开和闭之间满量程有1000位调节；手动放气阀，采用下游压力控制；

4. 预真空室/Load-lock

4.1 配置磁性传送杆，带定制样品托盘衬托器；

4.2 配置Pfeiffer抽速不低于70l/s的宽量程复合涡轮分子泵，以及抽速不低于4cfm的机械前级泵；

4.3 配置VAT手动插板阀，及全量程真空计；

5. 控制系统

5.1 提供可编程Labview软件计算机控制系统，包括但不限于以下功能：Windows图形用户界面和显示屏；软件具有可编程自动控制能力；能够通过显示屏实时显示系统真空、工艺气体流量、溅射功率、溅射时间等工艺参数及工艺过程；带有5个直流和4个射频电源接口，用于输出模式、定点、线性缓慢升温和等离子检测控制；

5.2 操作软件应具备带多项自动保护功能、系统故障自检功能和提示报警功能；不少于100个独立用户名保证工艺膜层和工艺安全性，采用多级进入系统操作，确保系统运行和真空控制的安全性；

5.3 具有开关位置/直流电源反馈，直流偏压反馈（射频），等离子体识别，工艺气压，气体流反馈，温度反馈，并能将数据实时显示在PC上；

592

2023.9

合计

592万

序号

采购项目名称

需求概况

初步技术
参数

预算金额

（万元）

预计采购时间

备注

1

超高真空双腔磁控溅射系统

超高真空双腔磁控溅射系统1套

1、报价应为人民币（含税）且包括服务、售后、运输费等全部费用。

2、所有产品价 (略) 场调价政策而调整。*方除非因*方需求改变或经*方同意，且不得增加任何费用。

3、*方提供的物资质量应符合国家标准。各项技术性能指标必须达到合同和技术文件规定的要求。

4、合同生效后，*方在12个月内完成货品运输、安装及调试

5、提供1年免费维保；

6、包装及资料全新未使用。

7、不能公开项目采购相关信息，包括数量及用途等，涉及物资的全部技术资料等未经*方同意*方不得向社会公开。

1. 主反应腔室系统

1.1 圆柱体超高真空反应腔体，材质为304不锈钢；腔体上盖采用橡胶圈密封，底部采用金属密封；

1.2 样品台具备溅射4英寸及以下尺寸基片的能力，可在0~40RPM的范围内转动；样品台可在氧气环境下加热，最高加热温度不低于850℃，PID温控精度等于或优于±1℃；

1.3 至少配置8套2英寸超高真空靶枪，所有靶枪向上溅射，共焦设计及防氧化设计；后续可升级为强磁靶枪均，可支持非磁性材料和磁性材料工作模式的切换，可兼容3mm厚磁性材料；可进行反应溅射和低压运行，工作距离可调节；所有靶枪均须配备独立的气动挡板和套筒，防止靶材交叉污染；

1.4 所有靶枪磁铁全部采用稀土磁铁材质，可被烘干至200℃，适应真空度10^-11 Torr环境，无需在烘干系统前移除磁铁。磁铁安装在水冷系统外，确保后续维护、清洁、故障排除和维修的便利；

1.5 靶枪电源包括：至少2套750W直流电源（自带4路切换器）；至少1套300W射频电源，带射频电源4路切换器、自动匹配网络及输出电缆；

1.6 主腔体至少配备2个观察窗，并且预留RHEED等备用集成接口，满足后学升级需求；

1.7 薄膜均匀性（SiO2)：±2.5% @ 4英寸硅片（去除边缘5mm）；

2. 真空系统

2.1 主腔体配置国际知名品牌Pfeiffer宽量程涡轮分子泵，抽速不低于700l/s；以及Kashiyama气冷罗茨泵，抽速不低于8.8 cfm；极限真空可达到5×10^-8Torr；

2.2 真空控制器同时显示3个真空计输出：裸离子规，对流真空计，0.1 Torr Baratron真空计；

3. 气路和气压控制系统

3.1 至少配置3路MKS或同级别品牌质量流量控制气路(Ar-50sccm、N₂/O₂-10sccm)，带独立的气动隔离阀和过滤器；

3.2 VAT闭环自动压力控制/隔离阀；阀门开和闭之间满量程有1000位调节；手动放气阀，采用下游压力控制；

4. 预真空室/Load-lock

4.1 配置磁性传送杆，带定制样品托盘衬托器；

4.2 配置Pfeiffer抽速不低于70l/s的宽量程复合涡轮分子泵，以及抽速不低于4cfm的机械前级泵；

4.3 配置VAT手动插板阀，及全量程真空计；

5. 控制系统

5.1 提供可编程Labview软件计算机控制系统，包括但不限于以下功能：Windows图形用户界面和显示屏；软件具有可编程自动控制能力；能够通过显示屏实时显示系统真空、工艺气体流量、溅射功率、溅射时间等工艺参数及工艺过程；带有5个直流和4个射频电源接口，用于输出模式、定点、线性缓慢升温和等离子检测控制；

5.2 操作软件应具备带多项自动保护功能、系统故障自检功能和提示报警功能；不少于100个独立用户名保证工艺膜层和工艺安全性，采用多级进入系统操作，确保系统运行和真空控制的安全性；

5.3 具有开关位置/直流电源反馈，直流偏压反馈（射频），等离子体识别，工艺气压，气体流反馈，温度反馈，并能将数据实时显示在PC上；

592

2023.9

合计

592万