采购内容：CMP抛光机

采购数量：1套

主要功能或目标：CMP化学机械抛光是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术，化学机械抛光技术综合了化学抛光和机械研磨的优势，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面，可以实现各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光，实现晶圆表面纳米级去除。

需满足的要求：设备具体配置包括：设备主机一台（包含抛光盘及抛光盘冷却系统1套、增加抛光盘一套，摆臂式修整系统1套、EPD摩擦力监控系统1套、4寸及6寸抛光压头各一1套，以及相关耗材抛光垫、抛光液、气囊胶膜、保持环等）。 要求设备具备在线终点检测功能、温度控制功能、在线修盘功能及在线清洗等功能，满足晶圆再生、介质层及金属层平坦化、传统封装及先进封装基板面处理等多种工艺要求。 设备独有气囊加压抛光头，柔性气囊薄膜直接接触晶圆施加均匀的压力，需实现晶圆抛光面的纳米级去除，同时去除膜厚均匀性达5%以内，在实现对晶圆膜层纳米去除的同时，保证对晶圆表面膜厚均匀性一致的工艺效果，抛光完的晶圆表面粗糙度达Ra1纳米内，对集成电路芯片、光电器件、传感器、生物芯片的制备都非常重要。 设备具备摩擦力温度监控系统，更精确的控制加工精度和效果。 质保期：要求提供不少于一年的原厂质保。 售后服务：免费培训，设备出现故障后需做到4小时内线上响应，如有必要48小时内到达设备现场。

采购内容：CMP抛光机

采购数量：1套

主要功能或目标：CMP化学机械抛光是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术，化学机械抛光技术综合了化学抛光和机械研磨的优势，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面，可以实现各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光，实现晶圆表面纳米级去除。

需满足的要求：设备具体配置包括：设备主机一台（包含抛光盘及抛光盘冷却系统1套、增加抛光盘一套，摆臂式修整系统1套、EPD摩擦力监控系统1套、4寸及6寸抛光压头各一1套，以及相关耗材抛光垫、抛光液、气囊胶膜、保持环等）。 要求设备具备在线终点检测功能、温度控制功能、在线修盘功能及在线清洗等功能，满足晶圆再生、介质层及金属层平坦化、传统封装及先进封装基板面处理等多种工艺要求。 设备独有气囊加压抛光头，柔性气囊薄膜直接接触晶圆施加均匀的压力，需实现晶圆抛光面的纳米级去除，同时去除膜厚均匀性达5%以内，在实现对晶圆膜层纳米去除的同时，保证对晶圆表面膜厚均匀性一致的工艺效果，抛光完的晶圆表面粗糙度达Ra1纳米内，对集成电路芯片、光电器件、传感器、生物芯片的制备都非常重要。 设备具备摩擦力温度监控系统，更精确的控制加工精度和效果。 质保期：要求提供不少于一年的原厂质保。 售后服务：免费培训，设备出现故障后需做到4小时内线上响应，如有必要48小时内到达设备现场。