为便于供应商及时了解采购信息，现将我校快速采购意向公开如下：

1、项目概况：

（1）拟采购方式：上大迅采

（2）采购项目名称：硅光子芯片流片及封装与测试服务

（3）预算金额：48.5万元

（4）采购需求概况：

(略) 和研究中心科研需要，本项目需要供应商对我们所设计的光子芯片进行流片、封装及相关测试。供应商需要满足下面服务要求：在SOI芯片制造工艺集成氮化硅和硅波导，要求（1）硅波导最小尖端工艺尺寸（CD）≤90nm；氮化硅波导最小尖端工艺尺寸（CD）≤150nm、厚度范围：400nm±40nm；包含氮化钛加热器和全悬浮硅底切工艺；后道金属层数≥3；（2）锗硅光电探测3dB带宽≥67GHz (@-3V，C波段)；（3）MZI调制器3dB带宽≥110GHz；具有10MHz~110GHz频率响应测试能力（4）提供正装贴片精度±0.3μm服务等。并提供芯片和测试报告，服务周期自签订合同起12月内。

（5）预计采购时间：2023年11月

（6）采购意向公示时间：2023-10-30 ~ 2023-11-04

2、联系方式：

采购人名称：上海大学

联系地址： (略) 上大路99号

用户单位联系人：钟其泽

联系电话：*

采购代理机构：上海 (略)

联系人：王欣怡、陈瑞麟、邓澍

联系电话：*、*、* *@*hbid.com

联系地址： (略) 长寿路285号16楼

采招办监督员：谢金印

监督电话：021-6613 0721

本次公开的采购意向是本单位采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

为便于供应商及时了解采购信息，现将我校快速采购意向公开如下：

1、项目概况：

（1）拟采购方式：上大迅采

（2）采购项目名称：硅光子芯片流片及封装与测试服务

（3）预算金额：48.5万元

（4）采购需求概况：

(略) 和研究中心科研需要，本项目需要供应商对我们所设计的光子芯片进行流片、封装及相关测试。供应商需要满足下面服务要求：在SOI芯片制造工艺集成氮化硅和硅波导，要求（1）硅波导最小尖端工艺尺寸（CD）≤90nm；氮化硅波导最小尖端工艺尺寸（CD）≤150nm、厚度范围：400nm±40nm；包含氮化钛加热器和全悬浮硅底切工艺；后道金属层数≥3；（2）锗硅光电探测3dB带宽≥67GHz (@-3V，C波段)；（3）MZI调制器3dB带宽≥110GHz；具有10MHz~110GHz频率响应测试能力（4）提供正装贴片精度±0.3μm服务等。并提供芯片和测试报告，服务周期自签订合同起12月内。

（5）预计采购时间：2023年11月

（6）采购意向公示时间：2023-10-30 ~ 2023-11-04

2、联系方式：

采购人名称：上海大学

联系地址： (略) 上大路99号

用户单位联系人：钟其泽

联系电话：*

采购代理机构：上海 (略)

联系人：王欣怡、陈瑞麟、邓澍

联系电话：*、*、* *@*hbid.com

联系地址： (略) 长寿路285号16楼

采招办监督员：谢金印

监督电话：021-6613 0721

本次公开的采购意向是本单位采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。