广东中科半导体微纳制造技术研究院2023年11月至2023年12月政府采购意向
广东中科半导体微纳制造技术研究院2023年11月至2023年12月政府采购意向
广东中科半导体微纳制 (略) 2023年11月至2023年12月政府采购意向
发布机构: 发布时间:2023-11-17 12:58:15
为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定,现将本单位2023年11月至2023年12月采购意向公开如下:
序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 低压化学气相沉积设备(多晶硅沉积) | 标的名称:低压化学气相沉积设备(多晶硅沉积) 标的数量:1 主要功能或目标:用加热的方式,在低压条件下使气态化合物在衬底表面反应、沉积形成稳定固体薄膜。在低工作压力环境下,气体分子的平均自由程和扩散系数较大,可在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。 有钝化,保护衬底材料的作用。 需满足的要求:1.设备构成:竖式炉;上下片loader≥4个;警报系统支持安全互锁(高压、低压、冷却、泄漏、断电);工作腔洁净等级达到百级或更高;气路≥9路(包含N2、SiH4、PH3)。 2.设备性能需求:适用8inch晶圆的Poly工艺;压力控制精度≤±1%,极限真空≤0.5 Pa;膜厚控制精度:设定值±100A;成膜速度范围涵盖20 A/min~200 A/min;片内均匀性≤3.5%,片间均匀性≤2% | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 4,500,000.00 | 2023年12月 | |
2 | 物理气相沉积设备(金属沉积) | 标的名称:物理气相沉积设备(金属沉积) 标的数量:1 主要功能或目标:磁控溅射类物理气相沉积设备,将电子在电场的作用下加速,电子飞向基片(阳极)的过程中与氩原子发生碰撞并电离出大量氩离子和次级电子,氩离子在电场作用下加速轰击靶材(阴极),并溅射出大量的靶材原子,沉积到靶材表面形成膜层。 需满足的要求:1.设备构成:含3个工艺腔室,分别可进行镀膜工艺: TTN(Ti/TiN/TiW)、Cu(Au)、TaN(NiCr);传片系统、真空系统、排气系统、警报系统、RF电源、直流电源等。 2、设备性能需求(达到或优于):满足6寸及8寸晶圆Pre-Etch、TTN、Cu、TaN的镀膜工艺需求;深宽比:10(5μm)/15(10μm)/15(20μm);Ti侧壁覆盖率:3%(5μm)/2%(10μm)/2 | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 12,500,000.00 | 2023年12月 | |
3 | 刻蚀机(金属刻蚀) | 标的名称:刻蚀机(金属刻蚀) 标的数量:1 主要功能或目标:电感耦合等离子体刻蚀(ICP)类刻蚀机通过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈,使线圈产生感应耦合的电场,在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。通过控制功率大小影响等离子体的电离率,从而控制等离子体的密度。由连接在腔室内下方的电极上的第二套射频电源为等离子提供能量。两套RF电源的配置,使得在低离子能量条件下增加离子密度,从而提高刻蚀速率的同时保证对晶片的损伤降到最低。I 需满足的要求:1.设备构成:含3个工艺腔体,分别可进行Strip工艺、金属(Al、Ti/TiN)及介质膜(Ta、W、SiO2/SiNx等)材料的刻蚀工艺;传片系统、真空系统、排气系统、警报系统等。 2.设备性能需求(达到或优于):满足6寸及8寸晶圆的Strip工艺及金属(Al、Ti/TiN)、介质膜(Ta、W、SiO2/SiNx等)材料的刻蚀工艺,可支持ICP/ICP+/CCP工艺;ICP刻蚀速率:铝5000 | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 9,000,000.00 | 2023年12月 | |
4 | 刻蚀机(金属刻蚀) | 标的名称:刻蚀机(金属刻蚀) 标的数量:1 主要功能或目标:电感耦合等离子体刻蚀(ICP)类刻蚀机通过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈,使线圈产生感应耦合的电场,在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。通过控制功率大小影响等离子体的电离率,从而控制等离子体的密度。由连接在腔室内下方的电极上的第二套射频电源为等离子提供能量。两套RF电源的配置,使得在低离子能量条件下增加离子密度,从而提高刻蚀速率的同时保证对晶片的损伤降到最低。I 需满足的要求:1.设备构成:含4个工艺腔体,分别可进行Al、W等金属材料的刻蚀工艺(2个)、去胶刻蚀工艺、快冷工艺;供源、传片系统、真空系统、排气系统、警报系统等。 2.设备性能需求: 刻蚀速率:铝>6000A/min、钨>5000A/min、PR>35000A/min;刻蚀均匀性:Al<5%、钨<5%、PR<10%;选择比:Al≥3、钨>5气路漏率<0.5mTorr/min;颗粒增量要求(Size>0.20 | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 8,000,000.00 | 2023年12月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
广东中科半导体微纳制 (略)
2023年11月17日
广东中科半导体微纳制 (略) 2023年11月至2023年12月政府采购意向
发布机构: 发布时间:2023-11-17 12:58:15
为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定,现将本单位2023年11月至2023年12月采购意向公开如下:
序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
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1 | 低压化学气相沉积设备(多晶硅沉积) | 标的名称:低压化学气相沉积设备(多晶硅沉积) 标的数量:1 主要功能或目标:用加热的方式,在低压条件下使气态化合物在衬底表面反应、沉积形成稳定固体薄膜。在低工作压力环境下,气体分子的平均自由程和扩散系数较大,可在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。 有钝化,保护衬底材料的作用。 需满足的要求:1.设备构成:竖式炉;上下片loader≥4个;警报系统支持安全互锁(高压、低压、冷却、泄漏、断电);工作腔洁净等级达到百级或更高;气路≥9路(包含N2、SiH4、PH3)。 2.设备性能需求:适用8inch晶圆的Poly工艺;压力控制精度≤±1%,极限真空≤0.5 Pa;膜厚控制精度:设定值±100A;成膜速度范围涵盖20 A/min~200 A/min;片内均匀性≤3.5%,片间均匀性≤2% | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 4,500,000.00 | 2023年12月 | |
2 | 物理气相沉积设备(金属沉积) | 标的名称:物理气相沉积设备(金属沉积) 标的数量:1 主要功能或目标:磁控溅射类物理气相沉积设备,将电子在电场的作用下加速,电子飞向基片(阳极)的过程中与氩原子发生碰撞并电离出大量氩离子和次级电子,氩离子在电场作用下加速轰击靶材(阴极),并溅射出大量的靶材原子,沉积到靶材表面形成膜层。 需满足的要求:1.设备构成:含3个工艺腔室,分别可进行镀膜工艺: TTN(Ti/TiN/TiW)、Cu(Au)、TaN(NiCr);传片系统、真空系统、排气系统、警报系统、RF电源、直流电源等。 2、设备性能需求(达到或优于):满足6寸及8寸晶圆Pre-Etch、TTN、Cu、TaN的镀膜工艺需求;深宽比:10(5μm)/15(10μm)/15(20μm);Ti侧壁覆盖率:3%(5μm)/2%(10μm)/2 | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 12,500,000.00 | 2023年12月 | |
3 | 刻蚀机(金属刻蚀) | 标的名称:刻蚀机(金属刻蚀) 标的数量:1 主要功能或目标:电感耦合等离子体刻蚀(ICP)类刻蚀机通过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈,使线圈产生感应耦合的电场,在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。通过控制功率大小影响等离子体的电离率,从而控制等离子体的密度。由连接在腔室内下方的电极上的第二套射频电源为等离子提供能量。两套RF电源的配置,使得在低离子能量条件下增加离子密度,从而提高刻蚀速率的同时保证对晶片的损伤降到最低。I 需满足的要求:1.设备构成:含3个工艺腔体,分别可进行Strip工艺、金属(Al、Ti/TiN)及介质膜(Ta、W、SiO2/SiNx等)材料的刻蚀工艺;传片系统、真空系统、排气系统、警报系统等。 2.设备性能需求(达到或优于):满足6寸及8寸晶圆的Strip工艺及金属(Al、Ti/TiN)、介质膜(Ta、W、SiO2/SiNx等)材料的刻蚀工艺,可支持ICP/ICP+/CCP工艺;ICP刻蚀速率:铝5000 | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 9,000,000.00 | 2023年12月 | |
4 | 刻蚀机(金属刻蚀) | 标的名称:刻蚀机(金属刻蚀) 标的数量:1 主要功能或目标:电感耦合等离子体刻蚀(ICP)类刻蚀机通过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈,使线圈产生感应耦合的电场,在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。通过控制功率大小影响等离子体的电离率,从而控制等离子体的密度。由连接在腔室内下方的电极上的第二套射频电源为等离子提供能量。两套RF电源的配置,使得在低离子能量条件下增加离子密度,从而提高刻蚀速率的同时保证对晶片的损伤降到最低。I 需满足的要求:1.设备构成:含4个工艺腔体,分别可进行Al、W等金属材料的刻蚀工艺(2个)、去胶刻蚀工艺、快冷工艺;供源、传片系统、真空系统、排气系统、警报系统等。 2.设备性能需求: 刻蚀速率:铝>6000A/min、钨>5000A/min、PR>35000A/min;刻蚀均匀性:Al<5%、钨<5%、PR<10%;选择比:Al≥3、钨>5气路漏率<0.5mTorr/min;颗粒增量要求(Size>0.20 | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 8,000,000.00 | 2023年12月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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2023年11月17日
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