深圳技术大学减薄机和抛光机意向公开-其他仪器仪表
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深圳技术大学减薄机和抛光机意向公开-其他仪器仪表
| 采购单位: | 深圳技术大学 |
| 项目名称: | 减薄机和抛光机 |
| 预算金额（元）: | 2,600,000.000 |
| 采购品目: | 其他仪器仪表 |
| 采购需求概况: | 拟购置减薄机和抛光机一批： 一.减薄机，1套，配置参数包括： 1.可兼容8英寸及以下晶圆，可兼容Si、 GaAs、InP 、GaN衬底，支持贴膜、贴蜡和键合片 2.配备自动即时测厚系统，采用接触式测量方式，厚度在线测量范围≥0~4800um，厚度在线测量分辨率≤0.1um，厚度在线测量重复精度≤±0.001mm； 3.工艺指标1：Si晶圆可减薄至厚度150um或更薄； 减薄后粗糙度≤20nm； 单片晶圆内的厚度偏差TTV≤±2um； 不同晶圆间的厚度偏差WTW≤±2um（中心点） 4.工艺指标2：GaAs晶圆可减薄至厚度350um或更薄； 减薄后粗糙度≤30nm； 单片晶圆内的厚度偏差TTV≤±2um； 不同晶圆间的厚度偏差WTW≤±2um（中心点） 二.抛光机，1套，配置参数包括： 1.兼容8inch及以下晶圆，兼容Si、GaAs、InP衬底，支持键合片、贴膜、贴蜡片 2.配置双抛光头，气囊加压方式，气囊压力通过多孔陶瓷吸盘给晶圆加压，抛光头压力0~100KG可调，压力调节精度≤1公斤。 3.抛光头转速0～150 rpm可调，抛光过程中摆动距离不小于±15mm。 4.有抛光垫修整功能 5.具有自动抛光程序，可设定抛光盘转速、抛光头转速、抛光时间、抛光压力、抛光液流量等工艺参数，可保存至少20组抛光程序 6.工艺指标（6英寸晶圆）： GaAs晶圆抛光后的表面粗糙度≤4nm； Si晶圆抛光后的表面粗糙度≤1nm; 单片晶圆内的厚度偏差TTV5 ≤±2um（测量点为wafer边缘往内3mm）; 不同晶圆内的厚度偏差≤±2um（测量点为wafer中心点）; |
| 联系人: | 董颖慧 |
| 联系电话: | 0755-* |
| 预计采购时间: | 2024-03 |
| 备注: | 无 |
| 采购单位: | 深圳技术大学 |
| 项目名称: | 减薄机和抛光机 |
| 预算金额（元）: | 2,600,000.000 |
| 采购品目: | 其他仪器仪表 |
| 采购需求概况: | 拟购置减薄机和抛光机一批： 一.减薄机，1套，配置参数包括： 1.可兼容8英寸及以下晶圆，可兼容Si、 GaAs、InP 、GaN衬底，支持贴膜、贴蜡和键合片 2.配备自动即时测厚系统，采用接触式测量方式，厚度在线测量范围≥0~4800um，厚度在线测量分辨率≤0.1um，厚度在线测量重复精度≤±0.001mm； 3.工艺指标1：Si晶圆可减薄至厚度150um或更薄； 减薄后粗糙度≤20nm； 单片晶圆内的厚度偏差TTV≤±2um； 不同晶圆间的厚度偏差WTW≤±2um（中心点） 4.工艺指标2：GaAs晶圆可减薄至厚度350um或更薄； 减薄后粗糙度≤30nm； 单片晶圆内的厚度偏差TTV≤±2um； 不同晶圆间的厚度偏差WTW≤±2um（中心点） 二.抛光机，1套，配置参数包括： 1.兼容8inch及以下晶圆，兼容Si、GaAs、InP衬底，支持键合片、贴膜、贴蜡片 2.配置双抛光头，气囊加压方式，气囊压力通过多孔陶瓷吸盘给晶圆加压，抛光头压力0~100KG可调，压力调节精度≤1公斤。 3.抛光头转速0～150 rpm可调，抛光过程中摆动距离不小于±15mm。 4.有抛光垫修整功能 5.具有自动抛光程序，可设定抛光盘转速、抛光头转速、抛光时间、抛光压力、抛光液流量等工艺参数，可保存至少20组抛光程序 6.工艺指标（6英寸晶圆）： GaAs晶圆抛光后的表面粗糙度≤4nm； Si晶圆抛光后的表面粗糙度≤1nm; 单片晶圆内的厚度偏差TTV5 ≤±2um（测量点为wafer边缘往内3mm）; 不同晶圆内的厚度偏差≤±2um（测量点为wafer中心点）; |
| 联系人: | 董颖慧 |
| 联系电话: | 0755-* |
| 预计采购时间: | 2024-03 |
| 备注: | 无 |
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