A*显微镜

1 电子光学系统1.1高电压二次电子分辨率：≤0.5nm @15kV。1.2 低电压二次电子分辨率：≤0.8nm @500V；≤1.2nm @200V。1.3 大束流二次电子分辨率：≤1.9nm @15kV（工作距离10mm，束流≥6.4nA下）。1.4 大工作距离分辨率：工作距离为10mm时，1kV下分辨率≤1.0nm。1.5电子束流范围：最小束流≤1.0pA，最大束流≥50nA，且连续可调。2 样品室和样品台2.1样品台：五轴马达驱动，X移动范围≥110mm，Y移动范围≥110mm，Z移动范围≥65mm， T 倾斜角度-15～+90°，R≥360°连续旋转。2.2配备样品台电子束减速模块和极靴清理模块。3 探测器和相机3.1 样品室、透镜内、镜筒内二次电子探测器各1个。3.2 镜筒内二次电子探测器应能够采集电位衬度像。3.3 样品室、透镜内背散射电子探测器各1个。3.4 样品仓背散射电子探测器可电动伸缩，具备环形分割和角度分割，共计11个分割模块。3.5 透镜被背散射电子探测器需在100V以下采集背散射电子图像。3.6 独立STEM探测器≥1个3.7 STEM探测器至少包含1个明场，4同心暗场，6个高角度HAADF暗场。3.8 红外CCD相机和宏观导航相机各1个。4软件和图像系统4.1 图像存储分辨率：不低于60k ×60k像素（非叠加下）。4.2配置自动图像拍照和拼接软件，可实现不小于7×24小时无人值守自动拍照和图像拼接，可实时已选定视场进行回溯。5电制冷能谱仪5.1探测器：分析型硅漂移电制冷探测器，有效面积≥100平方毫米。5.2重元素能量分辨率：Mn Ka保证优于127eV（@计数率130,000cps）；保证符合ISO 15632:2012标准。5.3元素分析范围: Be4～Cf98；具备高级能谱软件包功能。6 EBSD6.1高速低噪音CMOS相机，分辨率1244*1024。6.2EBSD在线解析最高标定速度不低于5000pps，此时花样分辨率仍能保持为156*128。6.3取向精度0.05度。6.4配有64位EBSD数据后处理软件包，和采集软件同一风格，支持10种语言界面，可处理包含多至6400万像素的单个文件，包含且不限于如下功能：（1）数据修饰；（2）晶粒统计（尺寸、形态等）；（3）晶界分析（特殊晶界、孪晶、CSL界面等、相邻及随机取向差曲线及其相似性分析等）；（4）应变分析（KAM，LAM，GROD，GOS，GND等）；（5）极图和反极图。7 氩离子抛光7.1电压范围2–16 keV。7.2离子束电流范围：20–500μA。7.3最大溅射速率：> 500μm/hr。7.4样品倾斜：0°到180°，0.1°增量。7.5样品摆动：面内摇摆，从±1°到 ±180°，1°/步。7.6具备真空转移样品托，可承载表面拍光样品和截面样品。

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1 电子光学系统1.1高电压二次电子分辨率：≤0.5nm @15kV。1.2 低电压二次电子分辨率：≤0.8nm @500V；≤1.2nm @200V。1.3 大束流二次电子分辨率：≤1.9nm @15kV（工作距离10mm，束流≥6.4nA下）。1.4 大工作距离分辨率：工作距离为10mm时，1kV下分辨率≤1.0nm。1.5电子束流范围：最小束流≤1.0pA，最大束流≥50nA，且连续可调。2 样品室和样品台2.1样品台：五轴马达驱动，X移动范围≥110mm，Y移动范围≥110mm，Z移动范围≥65mm， T 倾斜角度-15～+90°，R≥360°连续旋转。2.2配备样品台电子束减速模块和极靴清理模块。3 探测器和相机3.1 样品室、透镜内、镜筒内二次电子探测器各1个。3.2 镜筒内二次电子探测器应能够采集电位衬度像。3.3 样品室、透镜内背散射电子探测器各1个。3.4 样品仓背散射电子探测器可电动伸缩，具备环形分割和角度分割，共计11个分割模块。3.5 透镜被背散射电子探测器需在100V以下采集背散射电子图像。3.6 独立STEM探测器≥1个3.7 STEM探测器至少包含1个明场，4同心暗场，6个高角度HAADF暗场。3.8 红外CCD相机和宏观导航相机各1个。4软件和图像系统4.1 图像存储分辨率：不低于60k ×60k像素（非叠加下）。4.2配置自动图像拍照和拼接软件，可实现不小于7×24小时无人值守自动拍照和图像拼接，可实时已选定视场进行回溯。5电制冷能谱仪5.1探测器：分析型硅漂移电制冷探测器，有效面积≥100平方毫米。5.2重元素能量分辨率：Mn Ka保证优于127eV（@计数率130,000cps）；保证符合ISO 15632:2012标准。5.3元素分析范围: Be4～Cf98；具备高级能谱软件包功能。6 EBSD6.1高速低噪音CMOS相机，分辨率1244*1024。6.2EBSD在线解析最高标定速度不低于5000pps，此时花样分辨率仍能保持为156*128。6.3取向精度0.05度。6.4配有64位EBSD数据后处理软件包，和采集软件同一风格，支持10种语言界面，可处理包含多至6400万像素的单个文件，包含且不限于如下功能：（1）数据修饰；（2）晶粒统计（尺寸、形态等）；（3）晶界分析（特殊晶界、孪晶、CSL界面等、相邻及随机取向差曲线及其相似性分析等）；（4）应变分析（KAM，LAM，GROD，GOS，GND等）；（5）极图和反极图。7 氩离子抛光7.1电压范围2–16 keV。7.2离子束电流范围：20–500μA。7.3最大溅射速率：> 500μm/hr。7.4样品倾斜：0°到180°，0.1°增量。7.5样品摆动：面内摇摆，从±1°到 ±180°，1°/步。7.6具备真空转移样品托，可承载表面拍光样品和截面样品。