序号

采购项目

名称

采购需求概况

预算金额

（万元）

预计采购时间

（填写到月）

备注

1

曝光显影分析测试系统

A*

本套设备能用于光刻材料的曝光、显影与溶胀的测试。主要包含193nm解析曝光(大尺寸)、显影分析(大尺寸)、石英晶体微天平设备。

193nm解析曝光仪（大尺寸）可对光刻材料进行193nm曝光，研究光刻材料在193nm的光刻性能。

显影分析仪（大尺寸）可评估光刻胶显影率，可计算γ值、对比度曲线、表面抑制参数和显影参数。将晶圆和透镜同步浸入显影解决方案中的机制支持高Rmax（5000 nm/s）光刻胶，包括ArF光刻胶。可对光刻材料进行DUV曝光后的显影步骤，研究光刻材料在DUV的光刻性能。

石英晶体微天平的测量精度可达纳克级，可将石英晶体电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化，进而通过计算机等其他辅助设备获得高精度的数据。可用于实时监测光刻胶材料在液体溶液中的溶胀情况。

1200

2024年4月

2

椭偏仪（真空）

A*

本台设备用于鉴定单层或多层堆叠的薄膜厚度，可量测厚度由数埃（?）或数纳米到几微米皆有极佳的准确性。可测量波长范围从真空紫外（VUV）到近红外（NIR）。

350

2024年4月

3

DUV透过率测试仪

A*

本台设备用于检测薄膜在180-300nm波长紫外光下的透过率，并研究该波长范围下薄膜材料的吸收光谱。

100

2024年4月

4

反应离子刻蚀机

A*

本台设备用于检测集成电路关键材料的刻蚀速率。Cu>20 nm/min，Au>20nm/min；刻蚀角度：80°；刻蚀深度：μm级别；片内均匀性:<5%,片间均匀性：<3%；选择比：>1（PR）；射频功率：5kW。

4000

2024年6月

5

电感耦合等离子体质谱

A*

2台，本设备用于样品中痕量离子的检测。检测限(DLs)<10 ng/L；可分辨的最小保留时间为0.1 ms。

500

2024年6月

6

高效液相色谱

A*

2台，本设备用于分离提纯及纯度的检测。分离流量精度低于0.3%；可容16个微孔板和6144个样品；在高达800 bar的压力范围和高达5 mL/min的流速下具有良好的准确度和精密度。

400

2024年6月

7

高压离子色谱

A*

本设备用于痕量阴离子、阳离子检测。毛细管高压离子色谱系统；泵耐压高达6000 psi；不同选择性的离子色谱柱，能够满足阴离子、阳离子、有机酸、有机胺、糖类和氨基酸等不同的分析需求。

160

2024年6月

8

核磁共振波谱仪

A*

本设备用于有分子的结构测试。800MHz，固液两用。¹H的灵敏度为9683:1；¹³C的灵敏度为1908:1;²H的灵敏度为20462:1。

1700

2024年12月

9

凝胶色谱仪

A*

2台，本设备用于检测聚合物分子量及分布。洗脱时间重复性0.011%RSD;重均分子量的重复性0.167%RSD;数均分子量的重复性0.167%RSD。

100

2024年6月

10

气相色谱仪

A*

2台，本设备用于气体混合物的组分分析及纯度测试。保留时间重现性<0.008%；峰面积重现性<0.5%RSD；最大升温速率120°C/min；运行温度范围高于室温+4°C至450°C。

100

2024年6月

序号

采购项目

名称

采购需求概况

预算金额

（万元）

预计采购时间

（填写到月）

备注

1

曝光显影分析测试系统

A*

本套设备能用于光刻材料的曝光、显影与溶胀的测试。主要包含193nm解析曝光(大尺寸)、显影分析(大尺寸)、石英晶体微天平设备。

193nm解析曝光仪（大尺寸）可对光刻材料进行193nm曝光，研究光刻材料在193nm的光刻性能。

显影分析仪（大尺寸）可评估光刻胶显影率，可计算γ值、对比度曲线、表面抑制参数和显影参数。将晶圆和透镜同步浸入显影解决方案中的机制支持高Rmax（5000 nm/s）光刻胶，包括ArF光刻胶。可对光刻材料进行DUV曝光后的显影步骤，研究光刻材料在DUV的光刻性能。

石英晶体微天平的测量精度可达纳克级，可将石英晶体电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化，进而通过计算机等其他辅助设备获得高精度的数据。可用于实时监测光刻胶材料在液体溶液中的溶胀情况。

1200

2024年4月

2

椭偏仪（真空）

A*

本台设备用于鉴定单层或多层堆叠的薄膜厚度，可量测厚度由数埃（?）或数纳米到几微米皆有极佳的准确性。可测量波长范围从真空紫外（VUV）到近红外（NIR）。

350

2024年4月

3

DUV透过率测试仪

A*

本台设备用于检测薄膜在180-300nm波长紫外光下的透过率，并研究该波长范围下薄膜材料的吸收光谱。

100

2024年4月

4

反应离子刻蚀机

A*

本台设备用于检测集成电路关键材料的刻蚀速率。Cu>20 nm/min，Au>20nm/min；刻蚀角度：80°；刻蚀深度：μm级别；片内均匀性:<5%,片间均匀性：<3%；选择比：>1（PR）；射频功率：5kW。

4000

2024年6月

5

电感耦合等离子体质谱

A*

2台，本设备用于样品中痕量离子的检测。检测限(DLs)<10 ng/L；可分辨的最小保留时间为0.1 ms。

500

2024年6月

6

高效液相色谱

A*

2台，本设备用于分离提纯及纯度的检测。分离流量精度低于0.3%；可容16个微孔板和6144个样品；在高达800 bar的压力范围和高达5 mL/min的流速下具有良好的准确度和精密度。

400

2024年6月

7

高压离子色谱

A*

本设备用于痕量阴离子、阳离子检测。毛细管高压离子色谱系统；泵耐压高达6000 psi；不同选择性的离子色谱柱，能够满足阴离子、阳离子、有机酸、有机胺、糖类和氨基酸等不同的分析需求。

160

2024年6月

8

核磁共振波谱仪

A*

本设备用于有分子的结构测试。800MHz，固液两用。¹H的灵敏度为9683:1；¹³C的灵敏度为1908:1;²H的灵敏度为20462:1。

1700

2024年12月

9

凝胶色谱仪

A*

2台，本设备用于检测聚合物分子量及分布。洗脱时间重复性0.011%RSD;重均分子量的重复性0.167%RSD;数均分子量的重复性0.167%RSD。

100

2024年6月

10

气相色谱仪

A*

2台，本设备用于气体混合物的组分分析及纯度测试。保留时间重现性<0.008%；峰面积重现性<0.5%RSD；最大升温速率120°C/min；运行温度范围高于室温+4°C至450°C。

100

2024年6月