中国科学院微电子研究所2024年6至10月政府采购意向-八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备电子工业生产设备-预算金额万元人民币
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中国科学院微电子研究所2024年6至10月政府采购意向-八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备电子工业生产设备-预算金额万元人民币
| 八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2024年6至10月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备 |
| 预算金额： | 680.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况： | 拟购置的“八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备”主要用于环栅纳米GAA等型结构器件关键集成工艺的研发，在GAA器件三维结构上生长不同化学计量比、不同折射率和不同厚度的高纯度、高致密度和高保形性的氮化硅薄膜，且在纳米线湿法工艺中对GeSi的湿法腐蚀具有非常高的选择比。关键核心工艺包括替代栅（RMG）两侧的氮化硅侧墙，GAA器件中的氮化硅内侧墙及层间介质（ILD0）。氮化硅低压化学气相沉积设备可以沉积高纯度、高致密度、高保形性的高质量的氮化硅薄膜，满足GAA器件的先导工艺的研发需求，是解决新结构GAA器件关键技术研发挑战问题的最佳选择。 |
| 预计采购时间： | 2024-06 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2024年6至10月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备 |
| 预算金额： | 680.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况： | 拟购置的“八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备”主要用于环栅纳米GAA等型结构器件关键集成工艺的研发，在GAA器件三维结构上生长不同化学计量比、不同折射率和不同厚度的高纯度、高致密度和高保形性的氮化硅薄膜，且在纳米线湿法工艺中对GeSi的湿法腐蚀具有非常高的选择比。关键核心工艺包括替代栅（RMG）两侧的氮化硅侧墙，GAA器件中的氮化硅内侧墙及层间介质（ILD0）。氮化硅低压化学气相沉积设备可以沉积高纯度、高致密度、高保形性的高质量的氮化硅薄膜，满足GAA器件的先导工艺的研发需求，是解决新结构GAA器件关键技术研发挑战问题的最佳选择。 |
| 预计采购时间： | 2024-06 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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