中国科学院微电子研究所2024年9至12月政府采购意向-减压硅锗外延设备电子工业生产设备-预算金额万元人民币
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中国科学院微电子研究所2024年9至12月政府采购意向-减压硅锗外延设备电子工业生产设备-预算金额万元人民币
| 减压硅锗外延设备 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2024年9至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 减压硅锗外延设备 |
| 预算金额： | 2000.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况： | 采购减压硅锗外延设备1台，该设备主要用于面向高性能SRAM的CMOS晶体管研发需要的同时引入P型与N型锗硅源漏及高迁移率锗硅沟道，在同一硅片上分别为N、PMOS沟道提供应力，并形成高迁移率的不同掺杂的锗硅沟道。以及器件原位掺杂源漏区域的单晶材料制备。 |
| 预计采购时间： | 2024-09 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 减压硅锗外延设备 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2024年9至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 减压硅锗外延设备 |
| 预算金额： | 2000.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况： | 采购减压硅锗外延设备1台，该设备主要用于面向高性能SRAM的CMOS晶体管研发需要的同时引入P型与N型锗硅源漏及高迁移率锗硅沟道，在同一硅片上分别为N、PMOS沟道提供应力，并形成高迁移率的不同掺杂的锗硅沟道。以及器件原位掺杂源漏区域的单晶材料制备。 |
| 预计采购时间： | 2024-09 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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