松山湖材料实验室2024年03月至2024年05月政府采购意向-松山湖材料实验室硅外延设备采购项目

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松山湖材料实验室2024年03月至2024年05月政府采购意向-松山湖材料实验室硅外延设备采购项目

为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定,现将本单位2024年03月至2024年05月采购意向公开如下:

序号 采购项目名称 采购需求概况 落实政府采购政策情况 预算金额(元) 预计采购时间 备注
1 松山湖材料实验室硅外延设备采购项目
标的名称:硅外延设备
标的数量:1
主要功能或目标:主要用于6寸 和 8寸基底上MEMS和CIS图像传感器等器件中 N 型及 P 型薄膜材料外延生长,主要包括单晶硅和多晶硅薄膜高温沉积;
需满足的要求: 1、传输模块装有机械手和aligner,实现晶片在传输模块和工艺模块之间的精确传输; 2、实现硅外延工艺的自动控制; 可实现P型和N型掺杂; 3、工艺腔室最高温度:>1170℃ ; 4、本征单晶硅:≤1E14 atom/cm3; 5、金属污染:<5E10atom/cm2; 6、8寸厚度均匀性:WIW≤1.5%,RTR≤1%; 7、8寸N型电阻率均匀性:WIW≤2.5%,RTR≤1%。
遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 9,* 2024年04月
2 松山湖材料实验室ALD设备采购项目
标的名称:ALD设备
标的数量:1
主要功能或目标:主要用于TiN、SiN等功能材料的原子层沉积,可在平片和高深宽比沟槽、微孔阵列内表面制备均匀的纳米级厚度的功能薄膜,适用于超薄、厚度精确、均匀性好、覆盖性好等方面有很高要求的工艺
需满足的要求:"1、配备加热和等离子体生长两种模式; 2、前驱体通道:≥4路; 3、制备材料:AlN、TiN、SiN、TaN等介质薄膜; 4、加工晶片尺寸:8英寸; 5、最高加热温度:≥450℃; 6、温度控制精度:±2℃; 7、膜厚均匀性< 2%。 "
遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 3,* 2024年04月
3 松山湖材料实验室高温退火设备采购项目
标的名称:高温退火设备
标的数量:1
主要功能或目标:主要用于SiC器件加工中的离子注入高温激活以及电子电力器件制备trench结构的表面平滑化
需满足的要求:"1、工艺温度:1200-2000℃; 2、样品规格:4/6寸; 3、样品数量:50片/炉; 4、控温精度:≤±3℃; 5、温度均匀性:<±5℃; 6、工艺均匀性(Rs):WIW≤2.5%,WTW≤2.5%; 7、轻金属Na、Mg、Al、K、Ca离子污染:≤1.5E11atoms/cm2; 8、重金属Cr、Mn、Fe、Ni、Cu离子污染:≤1E11atoms/cm2。"
遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 6,* 2024年05月

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

松山湖材料实验室

2024年03月11日

为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定,现将本单位2024年03月至2024年05月采购意向公开如下:

序号 采购项目名称 采购需求概况 落实政府采购政策情况 预算金额(元) 预计采购时间 备注
1 松山湖材料实验室硅外延设备采购项目
标的名称:硅外延设备
标的数量:1
主要功能或目标:主要用于6寸 和 8寸基底上MEMS和CIS图像传感器等器件中 N 型及 P 型薄膜材料外延生长,主要包括单晶硅和多晶硅薄膜高温沉积;
需满足的要求: 1、传输模块装有机械手和aligner,实现晶片在传输模块和工艺模块之间的精确传输; 2、实现硅外延工艺的自动控制; 可实现P型和N型掺杂; 3、工艺腔室最高温度:>1170℃ ; 4、本征单晶硅:≤1E14 atom/cm3; 5、金属污染:<5E10atom/cm2; 6、8寸厚度均匀性:WIW≤1.5%,RTR≤1%; 7、8寸N型电阻率均匀性:WIW≤2.5%,RTR≤1%。
遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 9,* 2024年04月
2 松山湖材料实验室ALD设备采购项目
标的名称:ALD设备
标的数量:1
主要功能或目标:主要用于TiN、SiN等功能材料的原子层沉积,可在平片和高深宽比沟槽、微孔阵列内表面制备均匀的纳米级厚度的功能薄膜,适用于超薄、厚度精确、均匀性好、覆盖性好等方面有很高要求的工艺
需满足的要求:"1、配备加热和等离子体生长两种模式; 2、前驱体通道:≥4路; 3、制备材料:AlN、TiN、SiN、TaN等介质薄膜; 4、加工晶片尺寸:8英寸; 5、最高加热温度:≥450℃; 6、温度控制精度:±2℃; 7、膜厚均匀性< 2%。 "
遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 3,* 2024年04月
3 松山湖材料实验室高温退火设备采购项目
标的名称:高温退火设备
标的数量:1
主要功能或目标:主要用于SiC器件加工中的离子注入高温激活以及电子电力器件制备trench结构的表面平滑化
需满足的要求:"1、工艺温度:1200-2000℃; 2、样品规格:4/6寸; 3、样品数量:50片/炉; 4、控温精度:≤±3℃; 5、温度均匀性:<±5℃; 6、工艺均匀性(Rs):WIW≤2.5%,WTW≤2.5%; 7、轻金属Na、Mg、Al、K、Ca离子污染:≤1.5E11atoms/cm2; 8、重金属Cr、Mn、Fe、Ni、Cu离子污染:≤1E11atoms/cm2。"
遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 6,* 2024年05月

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

松山湖材料实验室

2024年03月11日

    
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