中国科学院微电子研究所2024年3至12月政府采购意向-晶圆级金属氧化物化学气相沉积设备电子工业生产设备-预算金额万元人民币
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中国科学院微电子研究所2024年3至12月政府采购意向-晶圆级金属氧化物化学气相沉积设备电子工业生产设备-预算金额万元人民币
| 晶圆级金属氧化物化学气相沉积设备 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2024年3至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 晶圆级金属氧化物化学气相沉积设备 |
| 预算金额： | 2000.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况： | 具备绝缘衬底上（蓝宝石、二氧化硅）生长8英寸晶圆级新型半导体材料（主要是过渡金属硫化物）及其异质结的工艺能力，且尺寸可向下兼容；生长出的材料均匀度>99%, 缺陷密度 <1*1013 cm-2，单一晶畴取向，可重复性高；设备配备两个腔室淋浴喷头，无腔室前预反应；具备多温区加热和旋转，加热范围 300-1400 摄氏度。 |
| 预计采购时间： | 2024-09 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 晶圆级金属氧化物化学气相沉积设备 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2024年3至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 晶圆级金属氧化物化学气相沉积设备 |
| 预算金额： | 2000.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况： | 具备绝缘衬底上（蓝宝石、二氧化硅）生长8英寸晶圆级新型半导体材料（主要是过渡金属硫化物）及其异质结的工艺能力，且尺寸可向下兼容；生长出的材料均匀度>99%, 缺陷密度 <1*1013 cm-2，单一晶畴取向，可重复性高；设备配备两个腔室淋浴喷头，无腔室前预反应；具备多温区加热和旋转，加热范围 300-1400 摄氏度。 |
| 预计采购时间： | 2024-09 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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