C*电子、通信与自动控制技术研究服务

名称：集成电路IP流片。 基于TowerJazz现有成熟工艺（TowerJazz 180nm CIS），定制化开发探测器工艺与器件，其工艺与器件需具备以下技术要求： 1) 180 nm CIS工艺制程； 2)支持1.8V核心器件与1.8V IO器件； 3)支持6层以上metal options； 4)具备完整的HVT/SVT/LVT 的高密度数字电路单元库，包括OA格式设计库； 5)具备完整的数字IO库和模拟IO库, 包括OA格式设计库；6)支持深N阱和深P阱； 7)高阻外延(1000 ohm/cm)； 8)外延层厚度25um； 9)支持MIM电容； 10)顶层金属需要厚金属； 11)不需要镀银； 12)SRAM IP； 13)多平台PDK（Process Design Kit）版本提供，全程PDK使用技术指导及后期验证辅助； 14)全流程协助产品Tapeout流程，包括数据填报，数据上传，DRC/LVS复查。 在满足上述工艺与器件要求的基础上，进行TowerJazz 180nm CIS工艺流片，数量为：4片8寸晶圆。 备注： 1）需提供免费划片服务； 2）如需其它IP支持与购买，可协助提供选择与渠道购买，费用另计。 售后服务要求：质保期不少于1年。 交货期：提交GDS后四个月内交货。

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名称：集成电路IP流片。 基于TowerJazz现有成熟工艺（TowerJazz 180nm CIS），定制化开发探测器工艺与器件，其工艺与器件需具备以下技术要求： 1) 180 nm CIS工艺制程； 2)支持1.8V核心器件与1.8V IO器件； 3)支持6层以上metal options； 4)具备完整的HVT/SVT/LVT 的高密度数字电路单元库，包括OA格式设计库； 5)具备完整的数字IO库和模拟IO库, 包括OA格式设计库；6)支持深N阱和深P阱； 7)高阻外延(1000 ohm/cm)； 8)外延层厚度25um； 9)支持MIM电容； 10)顶层金属需要厚金属； 11)不需要镀银； 12)SRAM IP； 13)多平台PDK（Process Design Kit）版本提供，全程PDK使用技术指导及后期验证辅助； 14)全流程协助产品Tapeout流程，包括数据填报，数据上传，DRC/LVS复查。 在满足上述工艺与器件要求的基础上，进行TowerJazz 180nm CIS工艺流片，数量为：4片8寸晶圆。 备注： 1）需提供免费划片服务； 2）如需其它IP支持与购买，可协助提供选择与渠道购买，费用另计。 售后服务要求：质保期不少于1年。 交货期：提交GDS后四个月内交货。