A*电子和通信测量仪器零部件

名称：像素探测器芯片加工流片。 先导B项目四开发高性能像素探测器芯片，需要委托*方在0.13μm工艺上完成像素探测器芯片的加工流片，以验证像素探测器芯片的实际性能。 1.工作条件： 1.1.适于在气温为摄氏-40℃～＋125℃的环境条件下工作；1.2.电源电压为1.2/3.3V。 2.规格、技术要求及参数： 工艺及器件的技术要求： 2.1. 0.13μm体硅工艺或更小技术节点； 2.2. 支持1.2V核心器件与3.3V IO器件； 2.3. 支持高阻电阻，MIM电容与顶层厚金属（~2.5μm Al）电感工艺； 2.4. 支持四阱工艺：n阱，深n阱，p阱，深p阱，以满足探测器像素 (略) 的电学隔离，获得更好的电离电荷俘获效率与高信噪比； 2.5. 支持高阻晶圆（~1K欧姆）或者高阻外延晶圆（>1K欧姆，并且外延厚度> 20μm）流片； 2.6. 具备完整的PDK（Process Design Kit）库，全程PDK使用技术指导以及后期验证辅助： 2.7. 具备完整 (略) 标准单元库，并且支持深n阱工艺，以满足探测器像素阵列 (略) 的电学隔离； 2.8. 具备完整的IO单元库，并且支持深n阱工艺，以满足探测器像素与IO的电学隔离； 在满足上述工艺与器件要求的基础上，进行一批次流片 2.9. 单个Die面积为20 mm * 22 mm； 2.10. 二合一光罩或普通光罩； 2.11. 交付至少70片裸Die。 二、售后服务要求：（其他） 质保期不少于1年。 三、交货期：合同签订后 360 日内交货。

A*电子和通信测量仪器零部件

名称：像素探测器芯片加工流片。 先导B项目四开发高性能像素探测器芯片，需要委托*方在0.13μm工艺上完成像素探测器芯片的加工流片，以验证像素探测器芯片的实际性能。 1.工作条件： 1.1.适于在气温为摄氏-40℃～＋125℃的环境条件下工作；1.2.电源电压为1.2/3.3V。 2.规格、技术要求及参数： 工艺及器件的技术要求： 2.1. 0.13μm体硅工艺或更小技术节点； 2.2. 支持1.2V核心器件与3.3V IO器件； 2.3. 支持高阻电阻，MIM电容与顶层厚金属（~2.5μm Al）电感工艺； 2.4. 支持四阱工艺：n阱，深n阱，p阱，深p阱，以满足探测器像素 (略) 的电学隔离，获得更好的电离电荷俘获效率与高信噪比； 2.5. 支持高阻晶圆（~1K欧姆）或者高阻外延晶圆（>1K欧姆，并且外延厚度> 20μm）流片； 2.6. 具备完整的PDK（Process Design Kit）库，全程PDK使用技术指导以及后期验证辅助： 2.7. 具备完整 (略) 标准单元库，并且支持深n阱工艺，以满足探测器像素阵列 (略) 的电学隔离； 2.8. 具备完整的IO单元库，并且支持深n阱工艺，以满足探测器像素与IO的电学隔离； 在满足上述工艺与器件要求的基础上，进行一批次流片 2.9. 单个Die面积为20 mm * 22 mm； 2.10. 二合一光罩或普通光罩； 2.11. 交付至少70片裸Die。 二、售后服务要求：（其他） 质保期不少于1年。 三、交货期：合同签订后 360 日内交货。