重庆邮电大学2024年5月政府采购意向-芯片晶圆代工-采招网

重庆邮电大学2024年5月政府采购意向-芯片晶圆代工

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重庆邮电大学2024年5月政府采购意向-芯片晶圆代工

重庆邮电大学2024年5月政府采购意向
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将重庆邮电大学2024年5月政府采购意向公开如下：

采购项目名称	预算金额（万元）	需求调查概况	备注
芯片晶圆代工	65.00	三安集成氮化镓工艺流片及测试，采用 GaN HEMT N25PA13 或更高的GaNHEMTN15PA11工艺流片，技术规格：1)适用于 28V 分立式 &MCM 和 MMIC 器件应用2)16 个掩模层：14 个正面层和 2 个背面层 RCID 是可选层3)双场板：栅极和源极连接场板MIM电容、薄膜电阻器、外延层电阻器4)75 um 背面研磨厚度5)独立软件软件/操作系统结构6)DC Performancea.Max trans-conductance @ VDS=10V Gmmax=350 mS/mm b.Drain current @VGS=2V, VDS=10V IDC_max=1220 mA/mmc.On-state contact resistance Ron=1.8 Ω*mmd.Pinch-off voltage @ VDS=10V，ID=1mA/mm Vp=-3.4 Ve.Breakdown voltage @ VGS=-8V, ID=0.5mA/mm BVDS>85 Vf.Breakdown voltage @ VGS=-8V, ID=1mA/mm BVDS>>120 VBVDS7)S-Parametera)测试条件：Gate width: 6x100um device @ CW SP bench; Bias : Vd=28V, Idq=100mA/mm	无

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

采购项目名称	预算金额（万元）	需求调查概况	备注
芯片晶圆代工	65.00	三安集成氮化镓工艺流片及测试，采用 GaN HEMT N25PA13 或更高的GaNHEMTN15PA11工艺流片，技术规格：1)适用于 28V 分立式 &MCM 和 MMIC 器件应用2)16 个掩模层：14 个正面层和 2 个背面层 RCID 是可选层3)双场板：栅极和源极连接场板MIM电容、薄膜电阻器、外延层电阻器4)75 um 背面研磨厚度5)独立软件软件/操作系统结构6)DC Performancea.Max trans-conductance @ VDS=10V Gmmax=350 mS/mm b.Drain current @VGS=2V, VDS=10V IDC_max=1220 mA/mmc.On-state contact resistance Ron=1.8 Ω*mmd.Pinch-off voltage @ VDS=10V，ID=1mA/mm Vp=-3.4 Ve.Breakdown voltage @ VGS=-8V, ID=0.5mA/mm BVDS>85 Vf.Breakdown voltage @ VGS=-8V, ID=1mA/mm BVDS>>120 VBVDS7)S-Parametera)测试条件：Gate width: 6x100um device @ CW SP bench; Bias : Vd=28V, Idq=100mA/mm	无

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

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