中国科学院半导体研究所2024年5至12月政府采购意向-临时键合与解键合平台电子工业生产设备-预算金额万元人民币

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中国科学院半导体研究所2024年5至12月政府采购意向-临时键合与解键合平台电子工业生产设备-预算金额万元人民币

(略)
项目所在采购意向: (略) 半导体研究所2024年5至12月政府采购意向
采购单位: (略) 半导体研究所
采购项目名称: (略)
预算金额: 160.*万元(人民币)
采购品目:
A*-电子工业生产设备
采购需求概况:
垂直腔面发射激光器(VCSEL)与边发射半导体激光器相比具有阈值电流低、易于二维集成、无腔面阈值损伤、圆形对称光斑及制作成本低等优点获得广泛应用。衬底面发射结构设计的激光器具有先天的散热优势,能获得更高功率激光输出。此外,通过器件或晶圆的薄膜级制备能进一步提升底发射激光功率,这种薄膜级制备技术将百微米衬底减薄、剥离,使激光器串联电阻减少、散热优化、吸收损耗降低,从而达到更高的激光输出效率。然而,这种超薄结构器件或晶圆对拿持问题提出了新的需求和挑战,尤其在III-V族化合物半导体制程中,超薄器件及晶圆的柔软性和易碎特点,需要一种更加安全的机械拿持系统和支撑系统确保薄晶圆能在工艺设备上进行加工。临时键合和解键合工艺作为晶圆拿持和支撑技术的关键解决方案,能够和现有的半导体工艺很好地融合,并且技术难度和成本都得到了一定程度的降低,因此在实际生产过程中广泛应用。
预计采购时间: 2024-05
备注:

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

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项目所在采购意向: (略) 半导体研究所2024年5至12月政府采购意向
采购单位: (略) 半导体研究所
采购项目名称: (略)
预算金额: 160.*万元(人民币)
采购品目:
A*-电子工业生产设备
采购需求概况:
垂直腔面发射激光器(VCSEL)与边发射半导体激光器相比具有阈值电流低、易于二维集成、无腔面阈值损伤、圆形对称光斑及制作成本低等优点获得广泛应用。衬底面发射结构设计的激光器具有先天的散热优势,能获得更高功率激光输出。此外,通过器件或晶圆的薄膜级制备能进一步提升底发射激光功率,这种薄膜级制备技术将百微米衬底减薄、剥离,使激光器串联电阻减少、散热优化、吸收损耗降低,从而达到更高的激光输出效率。然而,这种超薄结构器件或晶圆对拿持问题提出了新的需求和挑战,尤其在III-V族化合物半导体制程中,超薄器件及晶圆的柔软性和易碎特点,需要一种更加安全的机械拿持系统和支撑系统确保薄晶圆能在工艺设备上进行加工。临时键合和解键合工艺作为晶圆拿持和支撑技术的关键解决方案,能够和现有的半导体工艺很好地融合,并且技术难度和成本都得到了一定程度的降低,因此在实际生产过程中广泛应用。
预计采购时间: 2024-05
备注:

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

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