广东中科半导体微纳制造技术研究院2024年05月至2024年06月政府采购意向
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广东中科半导体微纳制造技术研究院2024年05月至2024年06月政府采购意向
| 公告标题 | 广东中科半导体微纳制 (略) 2024年05月至2024年06月政府采购意向 |
|---|---|
| 公告编号 | 8a7e463e8f667c7c018f70ba6ed03dbe |
| 公告发布时间 | 2024-05-13 14:54:30 |
| 公告性质 | 正常公告 |
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将本单位2024年05月至2024年06月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 干法释放设备 | 标的名称：干法释放设备 标的数量：1 主要功能或目标：气相刻蚀是一种干法释放的微电子制造刻蚀技术，这种刻蚀工艺是完全干燥的，消除了传统湿法刻蚀过程中的粘附问题。 ①使用HF气体进行SiO2刻蚀，SiO2表面与HF反应生成SiF4分子。这种工艺主要用来对SiO2的同向性刻蚀。②使用XeF2气体进行Si刻蚀，Si表面与XeF2反应生成SiF4分子，这种工艺主要用来对Si的各向同性刻蚀。 需满足的要求：①HF释放工艺要求：释放良率：MEMS结构需100%无黏附干法释放；刻蚀速率：悬臂结构刻蚀速率＞0.3 μm/min；空白暴露SiO2刻蚀＞0.1μm/min；片内均匀性：≤5% 1（悬臂结构：Si/SiO2复合薄膜；空白暴露SiO2：硅衬底Si/SiO2复合薄膜）；②XeF2释放工艺要求：释放良率：MEMS结构需100%无黏附干法释放；刻蚀速率：悬臂刻蚀＞3 μm/min； | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 12,* | 2024年06月 | |
| 2 | 磁控溅射设备（三腔室） | 标的名称：磁控溅射设备（三腔室） 标的数量：1 主要功能或目标：磁控溅射是一种常用的物理气相沉积（PVD）的方法，可在低沉积温度下，实现快速薄膜沉积，所沉积的薄膜具有均匀性好、成分接近靶材成分等众多优点。 主要用于溅射金属靶材、合金材料靶材、介质靶材；可用于反应溅射。 需满足的要求：适用8英寸及以下尺寸晶圆；极限真空≤2E-5 Pa； 抽气速率：工艺腔从大气抽到5E-4Pa的时间≤30分钟；真空漏率≤6E-3Pa.L/s；最高加热温度≥500℃；工件盘最高转速≥20转/min，转速连续可调；镀膜均匀性：优于±3%（直径8英寸范围内）；批次间重复性：优于±2%；靶枪：每个溅射工艺腔室配置的数量≥4个；增强磁场靶枪：其中一个溅射工艺腔室配置数量≥2个。 | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 6,* | 2024年06月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
广东中科半导体微纳制 (略)
2024年05月13日
| 公告标题 | 广东中科半导体微纳制 (略) 2024年05月至2024年06月政府采购意向 |
|---|---|
| 公告编号 | 8a7e463e8f667c7c018f70ba6ed03dbe |
| 公告发布时间 | 2024-05-13 14:54:30 |
| 公告性质 | 正常公告 |
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将本单位2024年05月至2024年06月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 干法释放设备 | 标的名称：干法释放设备 标的数量：1 主要功能或目标：气相刻蚀是一种干法释放的微电子制造刻蚀技术，这种刻蚀工艺是完全干燥的，消除了传统湿法刻蚀过程中的粘附问题。 ①使用HF气体进行SiO2刻蚀，SiO2表面与HF反应生成SiF4分子。这种工艺主要用来对SiO2的同向性刻蚀。②使用XeF2气体进行Si刻蚀，Si表面与XeF2反应生成SiF4分子，这种工艺主要用来对Si的各向同性刻蚀。 需满足的要求：①HF释放工艺要求：释放良率：MEMS结构需100%无黏附干法释放；刻蚀速率：悬臂结构刻蚀速率＞0.3 μm/min；空白暴露SiO2刻蚀＞0.1μm/min；片内均匀性：≤5% 1（悬臂结构：Si/SiO2复合薄膜；空白暴露SiO2：硅衬底Si/SiO2复合薄膜）；②XeF2释放工艺要求：释放良率：MEMS结构需100%无黏附干法释放；刻蚀速率：悬臂刻蚀＞3 μm/min； | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 12,* | 2024年06月 | |
| 2 | 磁控溅射设备（三腔室） | 标的名称：磁控溅射设备（三腔室） 标的数量：1 主要功能或目标：磁控溅射是一种常用的物理气相沉积（PVD）的方法，可在低沉积温度下，实现快速薄膜沉积，所沉积的薄膜具有均匀性好、成分接近靶材成分等众多优点。 主要用于溅射金属靶材、合金材料靶材、介质靶材；可用于反应溅射。 需满足的要求：适用8英寸及以下尺寸晶圆；极限真空≤2E-5 Pa； 抽气速率：工艺腔从大气抽到5E-4Pa的时间≤30分钟；真空漏率≤6E-3Pa.L/s；最高加热温度≥500℃；工件盘最高转速≥20转/min，转速连续可调；镀膜均匀性：优于±3%（直径8英寸范围内）；批次间重复性：优于±2%；靶枪：每个溅射工艺腔室配置的数量≥4个；增强磁场靶枪：其中一个溅射工艺腔室配置数量≥2个。 | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 | 6,* | 2024年06月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
广东中科半导体微纳制 (略)
2024年05月13日
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