A*金属表面处理设备

等离子表面处理： 射频电源0~1000W 13.56MHz 中频电源0-2000W40KHz 内部尺寸：600X600X600mm(宽x高X深) 有效尺寸：472X451mm(宽X深) 可定制(氨气、氧气、氮气、氢气、四氟化碳) ALD： 衬底尺寸：100-200 mm Dia （8 inch）（可定制） 工艺温度：RT~500°C （可定制） (略) 数：最 (略) (略) （可定制），包含固、液态前驱体源瓶 加热系统：RT~150℃ (略) 数： (略) (略) （可定制） 等离子体系统： (略) 等离子体气体（可定制） 射频功率：0~1000W 本底真空度：<5 * 10-3 Torr 传输样品：8英寸 对接模块：最大对接ALD工艺腔体4个 极限真空：5*10-4 Pa 热蒸镀： 极限真空度：2x10-5Pa；工作真空<5x10-4Pa；配备无机蒸发源两套，功率3Kw；有机蒸发源6套，调温范围：室温~500摄氏度；配备进口膜厚测试仪（SQM200，双探头1套）等。 磁控溅射： 1. 样品尺寸：5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸。2. 基板加热温度： 室温-350℃可调，控温精度1℃。3.配备四台溅射靶枪，其中一个靶枪支持强磁性材料。4. 300W射频电源，2kW 直流脉冲电源，带有等离子清洗功能。5. 蒸发均匀性：2英寸范围内< ±3% ；6英寸范围内±5% parylene镀膜： 腔体尺寸：Φ300 xH400mm 裂解室温度：＜1200°C 真空：1-1000Mtorr 冷 阱 ： 最低冷凝温度低于-90℃

无

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等离子表面处理： 射频电源0~1000W 13.56MHz 中频电源0-2000W40KHz 内部尺寸：600X600X600mm(宽x高X深) 有效尺寸：472X451mm(宽X深) 可定制(氨气、氧气、氮气、氢气、四氟化碳) ALD： 衬底尺寸：100-200 mm Dia （8 inch）（可定制） 工艺温度：RT~500°C （可定制） (略) 数：最 (略) (略) （可定制），包含固、液态前驱体源瓶 加热系统：RT~150℃ (略) 数： (略) (略) （可定制） 等离子体系统： (略) 等离子体气体（可定制） 射频功率：0~1000W 本底真空度：<5 * 10-3 Torr 传输样品：8英寸 对接模块：最大对接ALD工艺腔体4个 极限真空：5*10-4 Pa 热蒸镀： 极限真空度：2x10-5Pa；工作真空<5x10-4Pa；配备无机蒸发源两套，功率3Kw；有机蒸发源6套，调温范围：室温~500摄氏度；配备进口膜厚测试仪（SQM200，双探头1套）等。 磁控溅射： 1. 样品尺寸：5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸。2. 基板加热温度： 室温-350℃可调，控温精度1℃。3.配备四台溅射靶枪，其中一个靶枪支持强磁性材料。4. 300W射频电源，2kW 直流脉冲电源，带有等离子清洗功能。5. 蒸发均匀性：2英寸范围内< ±3% ；6英寸范围内±5% parylene镀膜： 腔体尺寸：Φ300 xH400mm 裂解室温度：＜1200°C 真空：1-1000Mtorr 冷 阱 ： 最低冷凝温度低于-90℃

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