松山湖材料实验室2024年07月至2024年09月政府采购意向
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松山湖材料实验室2024年07月至2024年09月政府采购意向
松山湖材料实验室2024年07月至2024年09月政府采购意向
发布机构： 发布时间：2024-07-15 15:05:35
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将本单位2024年07月至2024年09月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 松山湖材料实验室步进式光刻机设备采购项目 | 标的名称：步进式光刻机 标的数量：1 主要功能或目标：该设备主要用于微纳加工工艺中4、6、8寸晶圆的步进投影式曝光工艺。 需满足的要求：需满足的工艺技术指标：1、样品尺寸：4、6、8寸；2、光刻版尺寸：6寸；3、光源：365nm波段汞灯；4、分辨率：≤350nm；5、套刻精度：≤70nm；6、产能：8寸≥60wph；6寸≥90wph | 遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 | 23,* | 2024年08月 | |
| 2 | 松山湖材料实验室ICP刻蚀设备（InP）采购项目 | 标的名称：ICP刻蚀设备（InP） 标的数量：1 主要功能或目标：该设备主要用于8寸及以下尺寸GaAs基材料和InP基材料常规刻蚀和原子层级刻蚀。 需满足的要求：主要技术指标和要求：1）样品尺寸：8寸向下兼容，可进行碎片工艺；2）刻蚀材料：GaAs、InP等半导体材料；3）可进行220℃以上高温工艺；4）配备ALE模块，可进行原子层级刻蚀和低损伤刻蚀；5）片内、片间刻蚀均匀性（8寸）：≤±5%；6） (略) 以上工艺气体。 | 遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 | 8,* | 2024年09月 | |
| 3 | 松山湖材料实验室ALD设备采购项目 | 标的名称：ALD设备 标的数量：1 主要功能或目标：该设备主要用于8寸及以下尺寸SiO2/Al2O3/HfO2/ZrO2/TiO2等薄膜材料的原子层沉积。 需满足的要求：主要技术指标和要求：1）样品尺寸：8寸向下兼容，可进行碎片工艺；2）可在平片和高深宽比沟槽、微孔阵列内表面制备均匀的纳米级厚度的功能薄膜；3）配备加热和等离子体生长两种模式；4）前驱体通道：≥6路；5）制备材料：SiO2/Al2O3/HfO2/ZrO2/TiO2/ZnO/Ta2O5等薄膜材料；6）最高加热温度：≥450℃；7）8寸膜厚均匀性：< 2%。 | 遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 | 4,* | 2024年09月 | |
| 4 | 松山湖材料实验室多腔单靶PVD设备采购项目 | 标的名称：多腔单靶PVD设备 标的数量：1 主要功能或目标：该设备主要用于8寸及以下尺寸具有一定深宽比的深槽或深孔样品孔内壁金属薄膜和电镀种子层的溅射。 需满足的要求：主要技术指标和要求：1）样品尺寸：8寸向下兼容，可进行碎片工艺；2）可在平片和高深宽比沟槽内壁进行金属薄膜溅射；3）配备不少于3个溅射工艺腔体；4）可用于Ti、Ta、Cu等金属薄膜制备；5）8寸平片膜厚均匀性：< 5%。 | 遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 | 6,* | 2024年09月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
松山湖材料实验室
2024年07月15日
松山湖材料实验室2024年07月至2024年09月政府采购意向
发布机构： 发布时间：2024-07-15 15:05:35
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将本单位2024年07月至2024年09月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 松山湖材料实验室步进式光刻机设备采购项目 | 标的名称：步进式光刻机 标的数量：1 主要功能或目标：该设备主要用于微纳加工工艺中4、6、8寸晶圆的步进投影式曝光工艺。 需满足的要求：需满足的工艺技术指标：1、样品尺寸：4、6、8寸；2、光刻版尺寸：6寸；3、光源：365nm波段汞灯；4、分辨率：≤350nm；5、套刻精度：≤70nm；6、产能：8寸≥60wph；6寸≥90wph | 遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 | 23,* | 2024年08月 | |
| 2 | 松山湖材料实验室ICP刻蚀设备（InP）采购项目 | 标的名称：ICP刻蚀设备（InP） 标的数量：1 主要功能或目标：该设备主要用于8寸及以下尺寸GaAs基材料和InP基材料常规刻蚀和原子层级刻蚀。 需满足的要求：主要技术指标和要求：1）样品尺寸：8寸向下兼容，可进行碎片工艺；2）刻蚀材料：GaAs、InP等半导体材料；3）可进行220℃以上高温工艺；4）配备ALE模块，可进行原子层级刻蚀和低损伤刻蚀；5）片内、片间刻蚀均匀性（8寸）：≤±5%；6） (略) 以上工艺气体。 | 遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 | 8,* | 2024年09月 | |
| 3 | 松山湖材料实验室ALD设备采购项目 | 标的名称：ALD设备 标的数量：1 主要功能或目标：该设备主要用于8寸及以下尺寸SiO2/Al2O3/HfO2/ZrO2/TiO2等薄膜材料的原子层沉积。 需满足的要求：主要技术指标和要求：1）样品尺寸：8寸向下兼容，可进行碎片工艺；2）可在平片和高深宽比沟槽、微孔阵列内表面制备均匀的纳米级厚度的功能薄膜；3）配备加热和等离子体生长两种模式；4）前驱体通道：≥6路；5）制备材料：SiO2/Al2O3/HfO2/ZrO2/TiO2/ZnO/Ta2O5等薄膜材料；6）最高加热温度：≥450℃；7）8寸膜厚均匀性：< 2%。 | 遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 | 4,* | 2024年09月 | |
| 4 | 松山湖材料实验室多腔单靶PVD设备采购项目 | 标的名称：多腔单靶PVD设备 标的数量：1 主要功能或目标：该设备主要用于8寸及以下尺寸具有一定深宽比的深槽或深孔样品孔内壁金属薄膜和电镀种子层的溅射。 需满足的要求：主要技术指标和要求：1）样品尺寸：8寸向下兼容，可进行碎片工艺；2）可在平片和高深宽比沟槽内壁进行金属薄膜溅射；3）配备不少于3个溅射工艺腔体；4）可用于Ti、Ta、Cu等金属薄膜制备；5）8寸平片膜厚均匀性：< 5%。 | 遵守落实国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品、支持监狱企业发展等政策 | 6,* | 2024年09月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
松山湖材料实验室
2024年07月15日
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