南京大学2024年政府采购意向公开第28批-南京大学鼓楼校区报警中心改造
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南京大学2024年政府采购意向公开第28批-南京大学鼓楼校区报警中心改造
为便于供应商及时了解政府采购信息， 根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》 （财库〔2020〕10号）等有关规定，现将南京大学2024年政府采购意向公开（第28批）政府采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 意向编号 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购日期 | 备注 |
| 1 | 南京大学鼓楼校区报警中心改造 | * | A* LED 显示屏,A* 通用摄像机,A* 服务器 | 本项目采购内容为改造鼓楼校区报警中心，需新建LED大屏；扩容云存储系统，满足关键部位90天存储需求；在校园内新增摄像机，实现夜间全彩效果。 | 420 | 2024年08月 | |
| 2 | 南京大学2024-2025年度日常维修工程 | * | B* 房屋修缮 | 本项目为南京大学仙林校区、鼓楼校区以及浦口校区校舍日常维修工程、文物建筑日常维修工程、玻璃更换及幕墙日常维修工程、室外设施日常维修工程、防水日常维修工程、日常维修水电保障工程土建施工配合、电力设施设备维修保障和故障应急抢修工程等施工及保修。 | 3000 | 2024年08月 | |
| 3 | 南京大学仙林校区学生宿舍二组团淋浴间改造 | * | A* 淋浴房 | 南京大学仙林校区学生宿舍二组团淋浴间改造包括约5080平方米隔断的更新，旧隔断的拆除及新隔断的采购、安装、调试等。 | 276.7 | 2024年08月 | |
| 4 | 南京大学鼓楼校区四号开闭所建设（部分高压电缆敷设） | * | B* 其他电力系统安装 | 南京大学鼓楼校区四号开闭所建设（部分高压电缆敷设），施工内容主要包 (略) 内约1400米10kV400高压电缆敷设、调试送电及保修。 | 160 | 2024年08月 | |
| 5 | 激光扫描共聚焦显微镜 | * | A* 显微镜 | 南京大学拟采购激光扫描共聚焦显微镜一套，主要用于组织切片、生物材料荧光标记、活细胞荧光标记的高空间分辨率成像。主要参数要求如下：不少于四个独立的高灵敏度荧光检测器，全固态激光器≥5根，光谱检测范围≥400-900nm。质保≥1年。 | 210 | 2024年10月 | |
| 6 | PECVD化学气相沉积设备 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购PECVD化学气相沉积设备一套，要求：8英寸、ICP 电源+反应区温控系统、配 6 (略) 。质保期1年。 | 350 | 2024年10月 | |
| 7 | 磁控溅射薄膜沉积设备 | * | A* 磁式分析仪 | 南京大学拟采购磁控溅射薄膜沉积设备一套，要求：1. 衬底4英寸向下兼容；2. 6个2英寸靶枪；3. 溅射速率0.01nm/s-1nm/s; 4. 本底真空：8E-6 Torr; 5. 温度：室温-800℃；6. 转速0-20RPM； 7. 包含进样室。质保期1年。 | 155 | 2024年10月 | |
| 8 | low-k介质沉积设备 | * | A* 真空获得设备 | 南京大学拟采购low-k介质沉积设备一套，要求：1. 极限真空低于5.0E-5Pa，恢复真空15分钟之内达到2E-3Pa；2. 配置电子枪数量≥1，能够蒸SiO2、Al2O3、MgF2等镀膜材料；3. 射频辅助等离子源1套，离子流密度分布均匀；4. 石英晶体膜厚控制系统1套 ；5. 光学膜厚仪1套，监控波长范围350-1100nm，波長精度≤±1nm；基底最高加热温度：≥350℃，均匀性≤10℃。质保期1年。 | 250 | 2024年10月 | |
| 9 | ICP电感耦合等离子体刻蚀设备 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购ICP电感耦合等离子体刻蚀设备一套，要求：1. 腔室极限真空优于0.05mTorr，腔室漏气率优于1mTorr/min，控压范围2mTorr~100mTorr，控压精度±0.2mTorr；2. 片内/片间刻蚀不均匀性≤5%，极差法计算。质保期1年。 | 150 | 2024年10月 | |
| 10 | 超声扫描显微镜 | * | A* 显微镜 | 南京大学拟采购超声扫描显微镜一台，要求：1.最大扫描速率： 1000mm/s； 2.扫描范围：400mm x400mm； 3.扫描轴定位精度：X/Y轴± 0.5 μm； 4.采样速率: 1G/s、1.5G/s、3G/s可选。质保期1年。 | 120 | 2024年10月 | |
| 11 | 真空互联双腔原子层沉积设备 | * | A* 真空获得设备 | 南京大学拟采购真空互联双腔原子层沉积设备一套，要求：真空双腔结构，最大可放置直径 8 英寸晶圆； 6路液/固体 (略) +4 路气体反应 (略) 。质保期1年。 | 600 | 2024年10月 | |
| 12 | 晶圆退火设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购晶圆退火设备一套，要求：8英寸、最高1150度。质保期3年。 | 150 | 2024年10月 | |
| 13 | 真空退火设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购真空退火设备一套，要求：最高1000度、4路气体可选、配流量计。质保期3年。 | 100 | 2024年10月 | |
| 14 | 通用半导体刻蚀机 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购通用半导体刻蚀机一台，要求：8英寸兼容、4路气体、可加热至不低于400摄氏度。质保期1年。 | 550 | 2024年10月 | |
| 15 | 高速误码仪 | * | A* 其他光通信设备 | 南京大学拟采购高速误码仪一台，要求：1、支持NRZ、PAM4、PAM6、PAM8等调制格式；2、2-120GBaud速率覆盖范围3、具备FEC符号错误纠正功能。质保期：3年。 | 800 | 2024年11月 | |
| 16 | 宽带任意波形发生器 | * | A* 声源、声振信号发生器 | 南京大学拟采购宽带任意波形发生器一台，要求：1.最高采样速率：224G Sample/s；2.垂直分辨率：8Bit；3.输出信号带宽：最高65GHz；4.输出幅度：400 MHz时最高到5V； 5.通道数：2，可以实现差分输出，可升级为4通道。质保期：3年。 | 660 | 2024年11月 | |
| 17 | 原型验证系统 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购原型验证系统三套，要求：单机台支持1.96亿门设计容量，可灵活配置不同组合需求。质保期：1年。 | 450 | 2024年11月 | |
| 18 | DDR4/5控制器和PHY | * | A* 通信控制器 | 南京大学拟采购DDR4/5控制器和PHY一套，要求：1.预先集成的控制器和PHY；2. 支持DDR4/5，标准电压支持5600Mbps，加压支持6400Mbps，支持多种DIMM；3.支持DFI 5.1/5.0/4x；4.位宽最多支持80bit；5.支持DFS,最多4个频率，支持低功耗模式；6.内嵌处理器支持灵活的训练机制和初始化流程；7.支持管脚互换，BIST自测试等多种功能。质保期：1年。 | 500 | 2024年11月 | |
| 19 | PCIe5控制器 | * | A* 通信控制器 | 南京大学拟采购PCIe5控制器一套，要求：1.支持PCIe1/2/3/4/5；2.支持RP,EP两种模式；3.支持PIPE4.4/5.2和Raw Interface；4.支持AXI和CHI总线接口。质保期：1年。 | 500 | 2024年11月 | |
| 20 | 步进式光刻机（0.18-0.35） | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购步进式光刻机（0.18-0.35）一台，要求：8英寸兼容、分辨率达到350nm及以下，对准精度小于75nm。质保期1年。 | 3366 | 2024年11月 | |
| 21 | 步进式光刻机涂胶显影系统 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购步进式光刻机涂胶显影系统一套，要求：8英寸，自动化，实现≥130nm的显影工艺模组(8寸)； 可实现精准的周边曝光功能，Spec:±0.1mm。质保期1年。 | 386 | 2024年11月 | |
| 22 | 超高真空双腔互联金属镀膜设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购超高真空双腔互联金属镀膜设备一套，要求：8英寸、双腔、10靶位、带高真空过渡舱、真空度低于1E-9Torr。质保期1年。 | 772 | 2024年11月 | |
| 23 | RTP快速退火设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购RTP快速退火设备一套，要求：最高1150度、8英寸兼容、升温速率100度/s（<800度）、非接触式温度传感。质保期1年。 | 144 | 2024年11月 | |
| 24 | 高k氧化物原子层沉积系统 | * | A* 真空获得设备 | 南京大学拟采购高k氧化物原子层沉积系统一套，要求：8英寸兼容、6路前驱体、具备plasma功能、热法兼容。质保期1年。 | 217 | 2024年11月 | |
| 25 | 选择性原子层刻蚀系统 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购选择性原子层刻蚀系统一套，要求：1.采用不锈钢和进口铝材制成，腔室直径可放置8英寸晶圆；2.ICP电源和下电极电源，配备基片加热系统；3. (略) (略) ，包 (略) ，以及耐 (略) 的防腐流量计；4.干泵+分子泵+粉尘过滤器，本底真空小于5E-6Torr，真空漏率小于5E-7 Pa·L/S；5.PLC+工控机自动控制系统；6.短轴距设计，包含预真空室和真空机械手，用于基片的传输。质保期1年。 | 217 | 2024年11月 | |
| 26 | 无图形晶圆检测设备 | * | A* 光学仪器检测器具 | 南京大学拟采购无图形晶圆检测设备一套，要求：支持晶圆尺寸4’’/6’’/8’’；支持晶圆类型Bare SiC/SiC EPI；缺陷类型颗粒，划痕，微管，凹坑，凸起，层错，基平面位错，三角形缺陷，掉落物缺陷，胡萝卜缺陷，台阶聚并等；6’’检测效率＞20WPH (标准分辨率)；暗场DF光源波长320~330nm Laser灵敏度≤100 nm；明场DIC光源波长370~380nm Laser灵敏度≤ 3 nm；荧光PL激发光源320~330nm/370~380nm Laser；收集波长：可同时探测近红外、近紫外、可见光等多波段。质保期1年。 | 600 | 2024年11月 | |
| 27 | 自旋材料超高真空磁控溅射设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购自旋材料超高真空磁控溅射设备一套，要求：1.具有两个沉积工艺腔室，每个沉积腔集成至少6个3英寸可原位偏转超高真空共溅射靶枪，并预留1个3英寸正溅射靶枪接口。所有靶枪均采用稀土磁铁，磁铁和冷却水隔离；所有靶枪可以承受200℃烘烤和10-11 Torr真空；2.电动控制连续旋转样品台，旋转速率控范围为0~20rpm，样品台上基片最高加热温度800℃，PID温控精度±1℃，具有射频偏压功能；3.在6英寸（去除边缘5mm）的基片范围内薄膜沉积均匀性可达到±1.5%；4.主腔体极限真空优于6.75x10-9 Torr，采用下游压力控制并配1000位阀门。质保期：1年。 | 1450 | 2024年11月 | |
| 28 | 隧穿磁电阻比率测量仪 | * | A* 磁式分析仪 | 南京大学拟采购隧穿磁电阻比率测量仪一台，要求：1.范围25mm，分辨率 50nm，卡盘可容纳150 x 150mm的样品；2.分辨率±0.1mm ；3.样品尺寸150 x 150mm，探针工作区域150 x 150mm；4.磁场强度± 60mT ，均匀性< 1% ，设定分辨率0.1%。质保期：1年。 | 220 | 2024年11月 | |
| 29 | 振动样品磁强计 | * | A* 磁式分析仪 | 南京大学拟采购振动样品磁强计一台，要求：1.室温下的最大场强：＞2.6T，室温磁性测试灵敏度：5X10-8emu，数据采集速率：10 ms/点;磁场分辨率：1m0e；2.磁场变化率* 0e/s；磁矩稳定性：全量程的±0.05%/天；3.电磁体电源需采用水冷模式，电磁体电源要求采用双极四相限电源；4.电磁铁控制电源调制响应：≤0.17Hz(在±70A正弦波正常负载)，具有DC和AC模式。质保期：1年。 | 144 | 2024年11月 | |
| 30 | IBE离子束刻蚀设备 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购IBE离子束刻蚀设备一套，要求：1.配备LL传送腔，反应腔室极限真空＜7*10e-7torr,腔室漏率＜1mTorr/min;2.配备8英寸下电极，下电极温度范围5~35℃，温度均匀性≤5%设定值；3.下电极转动角度范围-90~80°，step 1°；下电极自转转速范围0~20rpm;4.离子束电流范围0~1000mA,离子束能量100~1000eV;射频电源最大功率1000W；5.双 (略) ，中和器电流0~1500mA6.刻蚀速率＞100A/min，片内片间均匀性＜5%。质保期：1年。 | 560 | 2024年11月 | |
| 31 | 低温强磁场多功能物性测量系统 | * | A* 磁式分析仪 | 南京大学拟采购低温强磁场多功能物性测量系统一套，要求：1.系统采用闭循环制冷，无需灌装液氦或液氮等制冷液；2.制冷机类型及规格：脉冲管制冷；3.温度范围：1.9K-400K 连续变温；4.降温时间：从 300K 降至稳定在 1.9K ≤50min (典型值~40min)；5.温度稳定性：±0.1% for T < 20K；±0.02% for T > 20K(典型值)；6.纵向磁体，最大磁场强度：±9T；7.扫描速度：0.1-200Oe/sec；8.从零场加至满场所需时间：≤8分钟；9.样品托底座电学针脚：12个；10.样品腔内径：≤25.4mm。质保期：1年。 | 400 | 2024年11月 | |
| 32 | 8英寸金属有机化学气相沉积系统（MOCVD） | * | A* 真空获得设备 | 南京大学拟采购8英寸金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）一套，要求：具备GaN基半导体材料外延生长功能；具备多种衬底兼容能力2/4/6/8寸，其中6/8寸衬底为单腔单片生长模式。质保期1年。 | 1150 | 2024年11月 | |
| 33 | 紫外接触式曝光机 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购紫外接触式曝光机一台，要求：用于化合物半导体晶圆的光刻图案化，兼容8英寸及以下晶圆。质保期3年。 | 400 | 2024年11月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。潜在供应商如拟介绍企业信息或产品信息，*@*ttp://**；邮件名称务必为对应项目的“意向编号+采购项目名称”。
南京大学招标办公室
2024年07月19日
为便于供应商及时了解政府采购信息， 根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》 （财库〔2020〕10号）等有关规定，现将南京大学2024年政府采购意向公开（第28批）政府采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 意向编号 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购日期 | 备注 |
| 1 | 南京大学鼓楼校区报警中心改造 | * | A* LED 显示屏,A* 通用摄像机,A* 服务器 | 本项目采购内容为改造鼓楼校区报警中心，需新建LED大屏；扩容云存储系统，满足关键部位90天存储需求；在校园内新增摄像机，实现夜间全彩效果。 | 420 | 2024年08月 | |
| 2 | 南京大学2024-2025年度日常维修工程 | * | B* 房屋修缮 | 本项目为南京大学仙林校区、鼓楼校区以及浦口校区校舍日常维修工程、文物建筑日常维修工程、玻璃更换及幕墙日常维修工程、室外设施日常维修工程、防水日常维修工程、日常维修水电保障工程土建施工配合、电力设施设备维修保障和故障应急抢修工程等施工及保修。 | 3000 | 2024年08月 | |
| 3 | 南京大学仙林校区学生宿舍二组团淋浴间改造 | * | A* 淋浴房 | 南京大学仙林校区学生宿舍二组团淋浴间改造包括约5080平方米隔断的更新，旧隔断的拆除及新隔断的采购、安装、调试等。 | 276.7 | 2024年08月 | |
| 4 | 南京大学鼓楼校区四号开闭所建设（部分高压电缆敷设） | * | B* 其他电力系统安装 | 南京大学鼓楼校区四号开闭所建设（部分高压电缆敷设），施工内容主要包 (略) 内约1400米10kV400高压电缆敷设、调试送电及保修。 | 160 | 2024年08月 | |
| 5 | 激光扫描共聚焦显微镜 | * | A* 显微镜 | 南京大学拟采购激光扫描共聚焦显微镜一套，主要用于组织切片、生物材料荧光标记、活细胞荧光标记的高空间分辨率成像。主要参数要求如下：不少于四个独立的高灵敏度荧光检测器，全固态激光器≥5根，光谱检测范围≥400-900nm。质保≥1年。 | 210 | 2024年10月 | |
| 6 | PECVD化学气相沉积设备 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购PECVD化学气相沉积设备一套，要求：8英寸、ICP 电源+反应区温控系统、配 6 (略) 。质保期1年。 | 350 | 2024年10月 | |
| 7 | 磁控溅射薄膜沉积设备 | * | A* 磁式分析仪 | 南京大学拟采购磁控溅射薄膜沉积设备一套，要求：1. 衬底4英寸向下兼容；2. 6个2英寸靶枪；3. 溅射速率0.01nm/s-1nm/s; 4. 本底真空：8E-6 Torr; 5. 温度：室温-800℃；6. 转速0-20RPM； 7. 包含进样室。质保期1年。 | 155 | 2024年10月 | |
| 8 | low-k介质沉积设备 | * | A* 真空获得设备 | 南京大学拟采购low-k介质沉积设备一套，要求：1. 极限真空低于5.0E-5Pa，恢复真空15分钟之内达到2E-3Pa；2. 配置电子枪数量≥1，能够蒸SiO2、Al2O3、MgF2等镀膜材料；3. 射频辅助等离子源1套，离子流密度分布均匀；4. 石英晶体膜厚控制系统1套 ；5. 光学膜厚仪1套，监控波长范围350-1100nm，波長精度≤±1nm；基底最高加热温度：≥350℃，均匀性≤10℃。质保期1年。 | 250 | 2024年10月 | |
| 9 | ICP电感耦合等离子体刻蚀设备 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购ICP电感耦合等离子体刻蚀设备一套，要求：1. 腔室极限真空优于0.05mTorr，腔室漏气率优于1mTorr/min，控压范围2mTorr~100mTorr，控压精度±0.2mTorr；2. 片内/片间刻蚀不均匀性≤5%，极差法计算。质保期1年。 | 150 | 2024年10月 | |
| 10 | 超声扫描显微镜 | * | A* 显微镜 | 南京大学拟采购超声扫描显微镜一台，要求：1.最大扫描速率： 1000mm/s； 2.扫描范围：400mm x400mm； 3.扫描轴定位精度：X/Y轴± 0.5 μm； 4.采样速率: 1G/s、1.5G/s、3G/s可选。质保期1年。 | 120 | 2024年10月 | |
| 11 | 真空互联双腔原子层沉积设备 | * | A* 真空获得设备 | 南京大学拟采购真空互联双腔原子层沉积设备一套，要求：真空双腔结构，最大可放置直径 8 英寸晶圆； 6路液/固体 (略) +4 路气体反应 (略) 。质保期1年。 | 600 | 2024年10月 | |
| 12 | 晶圆退火设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购晶圆退火设备一套，要求：8英寸、最高1150度。质保期3年。 | 150 | 2024年10月 | |
| 13 | 真空退火设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购真空退火设备一套，要求：最高1000度、4路气体可选、配流量计。质保期3年。 | 100 | 2024年10月 | |
| 14 | 通用半导体刻蚀机 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购通用半导体刻蚀机一台，要求：8英寸兼容、4路气体、可加热至不低于400摄氏度。质保期1年。 | 550 | 2024年10月 | |
| 15 | 高速误码仪 | * | A* 其他光通信设备 | 南京大学拟采购高速误码仪一台，要求：1、支持NRZ、PAM4、PAM6、PAM8等调制格式；2、2-120GBaud速率覆盖范围3、具备FEC符号错误纠正功能。质保期：3年。 | 800 | 2024年11月 | |
| 16 | 宽带任意波形发生器 | * | A* 声源、声振信号发生器 | 南京大学拟采购宽带任意波形发生器一台，要求：1.最高采样速率：224G Sample/s；2.垂直分辨率：8Bit；3.输出信号带宽：最高65GHz；4.输出幅度：400 MHz时最高到5V； 5.通道数：2，可以实现差分输出，可升级为4通道。质保期：3年。 | 660 | 2024年11月 | |
| 17 | 原型验证系统 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购原型验证系统三套，要求：单机台支持1.96亿门设计容量，可灵活配置不同组合需求。质保期：1年。 | 450 | 2024年11月 | |
| 18 | DDR4/5控制器和PHY | * | A* 通信控制器 | 南京大学拟采购DDR4/5控制器和PHY一套，要求：1.预先集成的控制器和PHY；2. 支持DDR4/5，标准电压支持5600Mbps，加压支持6400Mbps，支持多种DIMM；3.支持DFI 5.1/5.0/4x；4.位宽最多支持80bit；5.支持DFS,最多4个频率，支持低功耗模式；6.内嵌处理器支持灵活的训练机制和初始化流程；7.支持管脚互换，BIST自测试等多种功能。质保期：1年。 | 500 | 2024年11月 | |
| 19 | PCIe5控制器 | * | A* 通信控制器 | 南京大学拟采购PCIe5控制器一套，要求：1.支持PCIe1/2/3/4/5；2.支持RP,EP两种模式；3.支持PIPE4.4/5.2和Raw Interface；4.支持AXI和CHI总线接口。质保期：1年。 | 500 | 2024年11月 | |
| 20 | 步进式光刻机（0.18-0.35） | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购步进式光刻机（0.18-0.35）一台，要求：8英寸兼容、分辨率达到350nm及以下，对准精度小于75nm。质保期1年。 | 3366 | 2024年11月 | |
| 21 | 步进式光刻机涂胶显影系统 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购步进式光刻机涂胶显影系统一套，要求：8英寸，自动化，实现≥130nm的显影工艺模组(8寸)； 可实现精准的周边曝光功能，Spec:±0.1mm。质保期1年。 | 386 | 2024年11月 | |
| 22 | 超高真空双腔互联金属镀膜设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购超高真空双腔互联金属镀膜设备一套，要求：8英寸、双腔、10靶位、带高真空过渡舱、真空度低于1E-9Torr。质保期1年。 | 772 | 2024年11月 | |
| 23 | RTP快速退火设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购RTP快速退火设备一套，要求：最高1150度、8英寸兼容、升温速率100度/s（<800度）、非接触式温度传感。质保期1年。 | 144 | 2024年11月 | |
| 24 | 高k氧化物原子层沉积系统 | * | A* 真空获得设备 | 南京大学拟采购高k氧化物原子层沉积系统一套，要求：8英寸兼容、6路前驱体、具备plasma功能、热法兼容。质保期1年。 | 217 | 2024年11月 | |
| 25 | 选择性原子层刻蚀系统 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购选择性原子层刻蚀系统一套，要求：1.采用不锈钢和进口铝材制成，腔室直径可放置8英寸晶圆；2.ICP电源和下电极电源，配备基片加热系统；3. (略) (略) ，包 (略) ，以及耐 (略) 的防腐流量计；4.干泵+分子泵+粉尘过滤器，本底真空小于5E-6Torr，真空漏率小于5E-7 Pa·L/S；5.PLC+工控机自动控制系统；6.短轴距设计，包含预真空室和真空机械手，用于基片的传输。质保期1年。 | 217 | 2024年11月 | |
| 26 | 无图形晶圆检测设备 | * | A* 光学仪器检测器具 | 南京大学拟采购无图形晶圆检测设备一套，要求：支持晶圆尺寸4’’/6’’/8’’；支持晶圆类型Bare SiC/SiC EPI；缺陷类型颗粒，划痕，微管，凹坑，凸起，层错，基平面位错，三角形缺陷，掉落物缺陷，胡萝卜缺陷，台阶聚并等；6’’检测效率＞20WPH (标准分辨率)；暗场DF光源波长320~330nm Laser灵敏度≤100 nm；明场DIC光源波长370~380nm Laser灵敏度≤ 3 nm；荧光PL激发光源320~330nm/370~380nm Laser；收集波长：可同时探测近红外、近紫外、可见光等多波段。质保期1年。 | 600 | 2024年11月 | |
| 27 | 自旋材料超高真空磁控溅射设备 | * | A* 真空应用设备 | 南京大学拟采购自旋材料超高真空磁控溅射设备一套，要求：1.具有两个沉积工艺腔室，每个沉积腔集成至少6个3英寸可原位偏转超高真空共溅射靶枪，并预留1个3英寸正溅射靶枪接口。所有靶枪均采用稀土磁铁，磁铁和冷却水隔离；所有靶枪可以承受200℃烘烤和10-11 Torr真空；2.电动控制连续旋转样品台，旋转速率控范围为0~20rpm，样品台上基片最高加热温度800℃，PID温控精度±1℃，具有射频偏压功能；3.在6英寸（去除边缘5mm）的基片范围内薄膜沉积均匀性可达到±1.5%；4.主腔体极限真空优于6.75x10-9 Torr，采用下游压力控制并配1000位阀门。质保期：1年。 | 1450 | 2024年11月 | |
| 28 | 隧穿磁电阻比率测量仪 | * | A* 磁式分析仪 | 南京大学拟采购隧穿磁电阻比率测量仪一台，要求：1.范围25mm，分辨率 50nm，卡盘可容纳150 x 150mm的样品；2.分辨率±0.1mm ；3.样品尺寸150 x 150mm，探针工作区域150 x 150mm；4.磁场强度± 60mT ，均匀性< 1% ，设定分辨率0.1%。质保期：1年。 | 220 | 2024年11月 | |
| 29 | 振动样品磁强计 | * | A* 磁式分析仪 | 南京大学拟采购振动样品磁强计一台，要求：1.室温下的最大场强：＞2.6T，室温磁性测试灵敏度：5X10-8emu，数据采集速率：10 ms/点;磁场分辨率：1m0e；2.磁场变化率* 0e/s；磁矩稳定性：全量程的±0.05%/天；3.电磁体电源需采用水冷模式，电磁体电源要求采用双极四相限电源；4.电磁铁控制电源调制响应：≤0.17Hz(在±70A正弦波正常负载)，具有DC和AC模式。质保期：1年。 | 144 | 2024年11月 | |
| 30 | IBE离子束刻蚀设备 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购IBE离子束刻蚀设备一套，要求：1.配备LL传送腔，反应腔室极限真空＜7*10e-7torr,腔室漏率＜1mTorr/min;2.配备8英寸下电极，下电极温度范围5~35℃，温度均匀性≤5%设定值；3.下电极转动角度范围-90~80°，step 1°；下电极自转转速范围0~20rpm;4.离子束电流范围0~1000mA,离子束能量100~1000eV;射频电源最大功率1000W；5.双 (略) ，中和器电流0~1500mA6.刻蚀速率＞100A/min，片内片间均匀性＜5%。质保期：1年。 | 560 | 2024年11月 | |
| 31 | 低温强磁场多功能物性测量系统 | * | A* 磁式分析仪 | 南京大学拟采购低温强磁场多功能物性测量系统一套，要求：1.系统采用闭循环制冷，无需灌装液氦或液氮等制冷液；2.制冷机类型及规格：脉冲管制冷；3.温度范围：1.9K-400K 连续变温；4.降温时间：从 300K 降至稳定在 1.9K ≤50min (典型值~40min)；5.温度稳定性：±0.1% for T < 20K；±0.02% for T > 20K(典型值)；6.纵向磁体，最大磁场强度：±9T；7.扫描速度：0.1-200Oe/sec；8.从零场加至满场所需时间：≤8分钟；9.样品托底座电学针脚：12个；10.样品腔内径：≤25.4mm。质保期：1年。 | 400 | 2024年11月 | |
| 32 | 8英寸金属有机化学气相沉积系统（MOCVD） | * | A* 真空获得设备 | 南京大学拟采购8英寸金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）一套，要求：具备GaN基半导体材料外延生长功能；具备多种衬底兼容能力2/4/6/8寸，其中6/8寸衬底为单腔单片生长模式。质保期1年。 | 1150 | 2024年11月 | |
| 33 | 紫外接触式曝光机 | * | A* 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购紫外接触式曝光机一台，要求：用于化合物半导体晶圆的光刻图案化，兼容8英寸及以下晶圆。质保期3年。 | 400 | 2024年11月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。潜在供应商如拟介绍企业信息或产品信息，*@*ttp://**；邮件名称务必为对应项目的“意向编号+采购项目名称”。
南京大学招标办公室
2024年07月19日
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