中国科学院微电子研究所2024年10至12月政府采购意向-团簇等离子体抛光设备详细情况万元人民币
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中国科学院微电子研究所2024年10至12月政府采购意向-团簇等离子体抛光设备详细情况万元人民币
| 团簇等离子体抛光设备 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2024年10至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 团簇等离子体抛光设备 |
| 预算金额： | 365.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 对SiC外延片表面进行精细抛光，可以降低外延层表面粗糙度，获得高质量SiC外延层，降低器件表面缺陷，从而有效提高栅氧化层质量，同时能够降低器件表面载流子散射，提高器件沟道迁移率，从而实现高质量、高可靠性的SiC MOSFET器件 。 |
| 预计采购时间： | 2024-10 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 团簇等离子体抛光设备 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2024年10至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 团簇等离子体抛光设备 |
| 预算金额： | 365.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 对SiC外延片表面进行精细抛光，可以降低外延层表面粗糙度，获得高质量SiC外延层，降低器件表面缺陷，从而有效提高栅氧化层质量，同时能够降低器件表面载流子散射，提高器件沟道迁移率，从而实现高质量、高可靠性的SiC MOSFET器件 。 |
| 预计采购时间： | 2024-10 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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