高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统招标预告
高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统招标预告
高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统 | |
项目所在采购意向: | 华中科技大学2024年10至12月政府采购意向 |
采购单位: | 华中科技大学 |
采购项目名称: | 高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统 |
预算金额: | 350.*万元(人民币) |
采购品目: | A*真空应用设备 |
采购需求概况 : | 拟购高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统1套。 主要技术指标: 1、基片尺寸:8 英寸(兼容小尺寸基片) 2、配备溅射室和进样室双腔室 3、磁控溅射靶:8英寸,3套; 4、配置1套直流电源,2套射频电源: 5、 (略) 工艺气体氩气,氮气,氧气 6、膜厚均匀性:TiN薄膜300nm在8英寸内非均匀性≤5%,可沉积AlScN薄膜(9点测试) |
预计采购时间: | 2024-10 |
备注: |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统 | |
项目所在采购意向: | 华中科技大学2024年10至12月政府采购意向 |
采购单位: | 华中科技大学 |
采购项目名称: | 高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统 |
预算金额: | 350.*万元(人民币) |
采购品目: | A*真空应用设备 |
采购需求概况 : | 拟购高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统1套。 主要技术指标: 1、基片尺寸:8 英寸(兼容小尺寸基片) 2、配备溅射室和进样室双腔室 3、磁控溅射靶:8英寸,3套; 4、配置1套直流电源,2套射频电源: 5、 (略) 工艺气体氩气,氮气,氧气 6、膜厚均匀性:TiN薄膜300nm在8英寸内非均匀性≤5%,可沉积AlScN薄膜(9点测试) |
预计采购时间: | 2024-10 |
备注: |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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