西安电子科技大学2024年10至1月政府采购意向-等离子体增强化学气相沉积设备PECVD详细情况万元人民币
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西安电子科技大学2024年10至1月政府采购意向-等离子体增强化学气相沉积设备PECVD详细情况万元人民币
| 等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD） | |
| 项目所在采购意向： | 西安电子科技大学2024年10至1月政府采购意向 |
| 采购单位： | 西安电子科技大学 |
| 采购项目名称： | 等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD） |
| 预算金额： | 360.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A* 电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 拟采购等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD），1台套。要求能够实现SiO2、SiN、SiON等介质薄膜的沉积，具有双频电源，具有工艺腔室和传送腔室，衬底尺寸要求8英寸向下兼容。质保时间1年。 |
| 预计采购时间： | 2025-01 |
| 备注： | 详情见招标文件。 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD） | |
| 项目所在采购意向： | 西安电子科技大学2024年10至1月政府采购意向 |
| 采购单位： | 西安电子科技大学 |
| 采购项目名称： | 等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD） |
| 预算金额： | 360.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A* 电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 拟采购等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD），1台套。要求能够实现SiO2、SiN、SiON等介质薄膜的沉积，具有双频电源，具有工艺腔室和传送腔室，衬底尺寸要求8英寸向下兼容。质保时间1年。 |
| 预计采购时间： | 2025-01 |
| 备注： | 详情见招标文件。 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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