A* 电气物理设备

采购设备名称：纤维半导体器件微纳加工系统1套，该设备是对纤维材料和器件表面进行微纳加工。针对纤维器件定制配备了半导体行业专业光刻与薄膜沉积系统，用于纤维器件弯曲表面进行高精度纳米级图案化设计加工，以满足曲面加工需求。现有纤维涂敷、卷绕工艺难以满足对纤维电子器件的轴向方向上的高精度、多功能设计。该设备作为微纳加工、精细化加工的重要设备，是纤维电子器件向高集成化、多功能化纤维器件发展的必要需求。采用与国内知名厂商定制和搭建的纤维半导体器件微纳加工系统，确保图案化精度和稳定性。设备参数：定制曲面激光直写光刻机模块，曲面耦合电机，重复定位精度5 μm，最大转角360°，激光波长365 nm，加工精度0.6 μm。纤维OLED旋转蒸镀仓，定制电机转速8°/s。蒸发舟数量大于8，电源数量大于2。蒸发距离200-400 mm，配置配套手套箱及I-V-L测试系统。常温真空化学气相乘积CVD仓，加工温度区间20-80 ℃，薄膜厚度生长区间10-500 nm。

A* 电气物理设备

采购设备名称：纤维半导体器件微纳加工系统1套，该设备是对纤维材料和器件表面进行微纳加工。针对纤维器件定制配备了半导体行业专业光刻与薄膜沉积系统，用于纤维器件弯曲表面进行高精度纳米级图案化设计加工，以满足曲面加工需求。现有纤维涂敷、卷绕工艺难以满足对纤维电子器件的轴向方向上的高精度、多功能设计。该设备作为微纳加工、精细化加工的重要设备，是纤维电子器件向高集成化、多功能化纤维器件发展的必要需求。采用与国内知名厂商定制和搭建的纤维半导体器件微纳加工系统，确保图案化精度和稳定性。设备参数：定制曲面激光直写光刻机模块，曲面耦合电机，重复定位精度5 μm，最大转角360°，激光波长365 nm，加工精度0.6 μm。纤维OLED旋转蒸镀仓，定制电机转速8°/s。蒸发舟数量大于8，电源数量大于2。蒸发距离200-400 mm，配置配套手套箱及I-V-L测试系统。常温真空化学气相乘积CVD仓，加工温度区间20-80 ℃，薄膜厚度生长区间10-500 nm。