华南理工大学2024年11月政府采购意向-离子束刻蚀系统详细情况万元人民币
华南理工大学2024年11月政府采购意向-离子束刻蚀系统详细情况万元人民币
离子束刻蚀系统 | |
项目所在采购意向: | 华南理工大学2024年11月政府采购意向 |
采购单位: | 华南理工大学 |
采购项目名称: | 离子束刻蚀系统 |
预算金额: | 580.(略)万元(人民币) |
采购品目: | A(略)其他电工、电子生产设备 |
采购需求概况 : | 离子束刻蚀系统主要用于芯片制造过程中的各种材料,特别是金属材料等的刻蚀。需要满足8寸及以下晶圆和小片刻蚀;配备采用RF ICP 离子源,刻蚀均匀性优于 5%;载片台具备背 He 气体冷却装置,自转转速可调;包含进样室;具备终点检测功能。设备稳定性和可重复性好,刻蚀速率可精确调控。设备维护简单,保修期不低于2年。 |
预计采购时间: | 2024-11 |
备注: | 欢迎供应商提供相关产品或服务信息,产品资料可发送至采购人邮箱:*@*ttp://**,邮件标题:“点击查看>>**采购意向推荐产品”,联系电话:020-(略)。 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
离子束刻蚀系统 | |
项目所在采购意向: | 华南理工大学2024年11月政府采购意向 |
采购单位: | 华南理工大学 |
采购项目名称: | 离子束刻蚀系统 |
预算金额: | 580.(略)万元(人民币) |
采购品目: | A(略)其他电工、电子生产设备 |
采购需求概况 : | 离子束刻蚀系统主要用于芯片制造过程中的各种材料,特别是金属材料等的刻蚀。需要满足8寸及以下晶圆和小片刻蚀;配备采用RF ICP 离子源,刻蚀均匀性优于 5%;载片台具备背 He 气体冷却装置,自转转速可调;包含进样室;具备终点检测功能。设备稳定性和可重复性好,刻蚀速率可精确调控。设备维护简单,保修期不低于2年。 |
预计采购时间: | 2024-11 |
备注: | 欢迎供应商提供相关产品或服务信息,产品资料可发送至采购人邮箱:*@*ttp://**,邮件标题:“点击查看>>**采购意向推荐产品”,联系电话:020-(略)。 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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