四腔室PECVD意向公开-核技术应用设备
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四腔室PECVD意向公开-核技术应用设备
| 采购单位: | 深圳大学 |
| 项目名称: | 四腔室PECVD |
| 预算金额（元）: | 1,(略) |
| 采购品目: | 核技术应用设备 |
| 采购需求概况: | 用来制备高纯锗单晶、硅单晶深槽中子探测器时，在表面沉积多种介质膜。为了防止交叉污染，需要配备四腔室；分别完成本征薄膜、SiNx/SiONx/SiO2膜、掺碳薄膜和n型薄膜的生长。具备2英寸、4英寸和 (略) 理能力。 |
| 预计采购时间: | 2024-12 |
| 联系人: | 胡老师 |
| 联系电话: | (略) |
| 备注: | 无 |
| 采购单位: | 深圳大学 |
| 项目名称: | 四腔室PECVD |
| 预算金额（元）: | 1,(略) |
| 采购品目: | 核技术应用设备 |
| 采购需求概况: | 用来制备高纯锗单晶、硅单晶深槽中子探测器时，在表面沉积多种介质膜。为了防止交叉污染，需要配备四腔室；分别完成本征薄膜、SiNx/SiONx/SiO2膜、掺碳薄膜和n型薄膜的生长。具备2英寸、4英寸和 (略) 理能力。 |
| 预计采购时间: | 2024-12 |
| 联系人: | 胡老师 |
| 联系电话: | (略) |
| 备注: | 无 |
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