2024年11至12月政府采购意向-高密度等离子体深槽刻蚀机详细情况万元人民币
发送至邮箱
2024年11至12月政府采购意向-高密度等离子体深槽刻蚀机详细情况万元人民币
| 高密度等离子体深槽刻蚀机 | |
| 项目所在采购意向： | 东南大学2024年11至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东南大学 |
| 采购项目名称： | 高密度等离子体深槽刻蚀机 |
| 预算金额： | 1000.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*其他电气设备 |
| 采购需求概况 ： | 1.用于碳化硅功率半导体器件及功率集成芯片深隔离沟槽刻蚀。碳化硅刻蚀宽度小于1000nm，刻蚀深度大于3500nm，碳化硅刻蚀深度均匀性±3% 2.刻蚀边缘坡度角85°至90°可调 3.沟槽底部与侧边粗糙度＜0.5nm 4.颗粒数量增加值≤30 @＞0.3um |
| 预计采购时间： | 2024-11 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 高密度等离子体深槽刻蚀机 | |
| 项目所在采购意向： | 东南大学2024年11至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东南大学 |
| 采购项目名称： | 高密度等离子体深槽刻蚀机 |
| 预算金额： | 1000.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*其他电气设备 |
| 采购需求概况 ： | 1.用于碳化硅功率半导体器件及功率集成芯片深隔离沟槽刻蚀。碳化硅刻蚀宽度小于1000nm，刻蚀深度大于3500nm，碳化硅刻蚀深度均匀性±3% 2.刻蚀边缘坡度角85°至90°可调 3.沟槽底部与侧边粗糙度＜0.5nm 4.颗粒数量增加值≤30 @＞0.3um |
| 预计采购时间： | 2024-11 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
招投标大数据
最近搜索
无
热门搜索
无
