2024年11至12月政府采购意向-高温化学气相沉积外延炉详细情况万元人民币
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2024年11至12月政府采购意向-高温化学气相沉积外延炉详细情况万元人民币
| 高温化学气相沉积外延炉 | |
| 项目所在采购意向： | 东南大学2024年11至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东南大学 |
| 采购项目名称： | 高温化学气相沉积外延炉 |
| 预算金额： | 600.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*其他电气设备 |
| 采购需求概况 ： | 1.用于碳化硅功率半导体器件及功率集成芯片的外延片制造，满足碳化硅高压功率器件 (略) 所需的高质量厚外延生长工艺需求，掺杂浓度和外延厚度均匀性片内≤2%，批间≤2% 2.可以实现高质量N型和P型外延层 3.表面粗糙度＜0.3nm @ 10×10μm2，致命缺陷密度<0.5psc |
| 预计采购时间： | 2024-11 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 高温化学气相沉积外延炉 | |
| 项目所在采购意向： | 东南大学2024年11至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东南大学 |
| 采购项目名称： | 高温化学气相沉积外延炉 |
| 预算金额： | 600.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A*其他电气设备 |
| 采购需求概况 ： | 1.用于碳化硅功率半导体器件及功率集成芯片的外延片制造，满足碳化硅高压功率器件 (略) 所需的高质量厚外延生长工艺需求，掺杂浓度和外延厚度均匀性片内≤2%，批间≤2% 2.可以实现高质量N型和P型外延层 3.表面粗糙度＜0.3nm @ 10×10μm2，致命缺陷密度<0.5psc |
| 预计采购时间： | 2024-11 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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