A(略)工艺试验机

设备名称：共溅射磁控溅射系统 数量：1套 用途：共溅射沉积Ti、Au、Cr、Al2O3和IGZO等材料。 技术要求（仅列主要，详见采购文件）： *1. 工艺腔体极限真空度优于 3 × 10E-7 Torr； *2. 八英寸基片上镀膜均匀性优于± 3%（边缘5 mm不算）； *3. 样品台加热可达到800℃，控温精度±1℃； *4. 镀膜工艺腔体配备对N2抽速不小于1000 /s的分子泵； *5. 进样腔体配备对N2抽速不小于210 /s的分子泵，并且对N2的压缩比≥1 × 10E11； *6. 镀膜工艺腔体配备高精度薄膜真空计，量程为10E-1 -10E-4 Torr； Δ8. 镀膜腔和进样腔均需配备一个全量程真空计（量程：ATM-1×10E-9 mbar）和一个前级真空计（量程：ATM-5×10E-4 mbar）； *9. 配备4只4英寸磁控溅射靶枪，每只靶枪均兼容直流或者射频溅射模式。 *10. 配备1套300 W射频电源含自动匹配控制器；配备1套1对2 RF切换盒，射频电源可以在2个靶枪之间自动切换。 *11. 配备2套1000W直流电源，支持恒流、恒压、恒定功率三种输出模式，可远程自动控制。 具体要求详见采购文件。供货期：签订合同之日起，6个月内交货到采购人指定地点，具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

A(略)工艺试验机

设备名称：共溅射磁控溅射系统 数量：1套 用途：共溅射沉积Ti、Au、Cr、Al2O3和IGZO等材料。 技术要求（仅列主要，详见采购文件）： *1. 工艺腔体极限真空度优于 3 × 10E-7 Torr； *2. 八英寸基片上镀膜均匀性优于± 3%（边缘5 mm不算）； *3. 样品台加热可达到800℃，控温精度±1℃； *4. 镀膜工艺腔体配备对N2抽速不小于1000 /s的分子泵； *5. 进样腔体配备对N2抽速不小于210 /s的分子泵，并且对N2的压缩比≥1 × 10E11； *6. 镀膜工艺腔体配备高精度薄膜真空计，量程为10E-1 -10E-4 Torr； Δ8. 镀膜腔和进样腔均需配备一个全量程真空计（量程：ATM-1×10E-9 mbar）和一个前级真空计（量程：ATM-5×10E-4 mbar）； *9. 配备4只4英寸磁控溅射靶枪，每只靶枪均兼容直流或者射频溅射模式。 *10. 配备1套300 W射频电源含自动匹配控制器；配备1套1对2 RF切换盒，射频电源可以在2个靶枪之间自动切换。 *11. 配备2套1000W直流电源，支持恒流、恒压、恒定功率三种输出模式，可远程自动控制。 具体要求详见采购文件。供货期：签订合同之日起，6个月内交货到采购人指定地点，具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。