A*电子工业生产设备

电感耦合等离子体刻蚀系统（ICP）Ⅲ-Ⅴ ：数量：2台。光电子器件的制备工艺流程与微电子IC芯片的流片基本相同，此次论证的刻蚀机，是在光刻做好图形之后，将光刻胶图形转移到衬底材料的加工流程，是平台不可或缺的重要组成部分之一，该设备主要用于制备磷化铟基和砷化镓基有源器件，磷化铟基材料在光电领域广泛应用于激光器、光探测器和高频电子器件，因其优良的电子和光学性能，适用于光通信和光电转换等技术。砷化镓基材料在光电领域应用广泛，主要用于激光器、光探测器和太阳能电池。由于其优良的电子和光学性能，砷化镓在光通信和高频器件中表现出色，能够实现高效率和高速度的数据传输。此外，砷化镓的宽带隙特性使其适合于高功率应用 ；技术要求：支持8inch Wafer,均匀性优于5%，配有loadlock自动进样，双射频源，电感耦合射频源功率>3kW,偏压射频源>300W，下电极控温范围包括20℃~300℃，刻蚀速率>1um/min，选择比（hardmsk）>10,配终点探测器；交付时间要求：8个月；交付地点要求： (略) 中山大 (略) 纳米楼；售后服务要求：若设备出现故障，卖方在接到买方通知后，2小时内做出故障维修实质性响应，若通过电话、邮件等仍不能解决问题的，卖方售后服务人员（或维修工程师）在48小时内到达买方现场提供设备维修服务。质保期内提供设备例行保养、设备维护及培训等服务。

A*电子工业生产设备

电感耦合等离子体刻蚀系统（ICP）Ⅲ-Ⅴ ：数量：2台。光电子器件的制备工艺流程与微电子IC芯片的流片基本相同，此次论证的刻蚀机，是在光刻做好图形之后，将光刻胶图形转移到衬底材料的加工流程，是平台不可或缺的重要组成部分之一，该设备主要用于制备磷化铟基和砷化镓基有源器件，磷化铟基材料在光电领域广泛应用于激光器、光探测器和高频电子器件，因其优良的电子和光学性能，适用于光通信和光电转换等技术。砷化镓基材料在光电领域应用广泛，主要用于激光器、光探测器和太阳能电池。由于其优良的电子和光学性能，砷化镓在光通信和高频器件中表现出色，能够实现高效率和高速度的数据传输。此外，砷化镓的宽带隙特性使其适合于高功率应用 ；技术要求：支持8inch Wafer,均匀性优于5%，配有loadlock自动进样，双射频源，电感耦合射频源功率>3kW,偏压射频源>300W，下电极控温范围包括20℃~300℃，刻蚀速率>1um/min，选择比（hardmsk）>10,配终点探测器；交付时间要求：8个月；交付地点要求： (略) 中山大 (略) 纳米楼；售后服务要求：若设备出现故障，卖方在接到买方通知后，2小时内做出故障维修实质性响应，若通过电话、邮件等仍不能解决问题的，卖方售后服务人员（或维修工程师）在48小时内到达买方现场提供设备维修服务。质保期内提供设备例行保养、设备维护及培训等服务。