A#电子工业生产设备

等离子体增强化学气相沉积-介质（SiO2&Si）：数量：2台。 (略) 中，主要用于沉积高质量氧化硅和非晶硅介质薄膜。沉积二氧化硅薄膜、用于器件包层、侧壁钝化以及刻蚀三五族半导体的硬掩膜。非晶硅的介质薄膜则主要用于混合集成、光伏电池、光学传感器、耦合光栅、光镊微纳粒子操控等应用。衬底材料的沉积对 (略) 是流片原料，是基本组成部分；技术要求：支持8inch Wafer，均匀性优于5%，配有loadlock自动进样，双频射频源，氧化硅沉积速率>300nm/min，折射率1.46可调，标准BOE腐蚀速率<200nm/min，非晶硅沉积速率>50nm/min，折射率3.3可调；交付时间要求：6个月；交付地点要求： (略) 中山大 (略) 纳米楼；售后服务要求：若设备出现故障，卖方在接到买方通知后，2小时内做出故障维修实质性响应，若通过电话、邮件等仍不能解决问题的，卖方售后服务人员（或维修工程师）在48小时内到达买方现场提供设备维修服务。质保期内提供设备例行保养、设备维护及培训等服务。

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等离子体增强化学气相沉积-介质（SiO2&Si）：数量：2台。 (略) 中，主要用于沉积高质量氧化硅和非晶硅介质薄膜。沉积二氧化硅薄膜、用于器件包层、侧壁钝化以及刻蚀三五族半导体的硬掩膜。非晶硅的介质薄膜则主要用于混合集成、光伏电池、光学传感器、耦合光栅、光镊微纳粒子操控等应用。衬底材料的沉积对 (略) 是流片原料，是基本组成部分；技术要求：支持8inch Wafer，均匀性优于5%，配有loadlock自动进样，双频射频源，氧化硅沉积速率>300nm/min，折射率1.46可调，标准BOE腐蚀速率<200nm/min，非晶硅沉积速率>50nm/min，折射率3.3可调；交付时间要求：6个月；交付地点要求： (略) 中山大 (略) 纳米楼；售后服务要求：若设备出现故障，卖方在接到买方通知后，2小时内做出故障维修实质性响应，若通过电话、邮件等仍不能解决问题的，卖方售后服务人员（或维修工程师）在48小时内到达买方现场提供设备维修服务。质保期内提供设备例行保养、设备维护及培训等服务。