A#电子工业生产设备

电感耦合等离子体刻蚀系统 (ICP) LN：数量：1台。光电子器件的制备工艺流程与微电子IC芯片的流片基本相同，此次论证的刻蚀机，是在光刻做好图形之后，将光刻胶图形转移到衬底材料的加工流程，是平台不可或缺的重要组成部分之一，该设备主要用于制备铌酸锂无缘器件，铌酸锂材料在光电领域广泛应用于光调制器、光波导和非线性光学器件。其优良的电光效应和非线性光学特性，使其在光通信和激光技术中发挥重要作用；技术要求：支持8inch Wafer,均匀性优于5%，配有loadlock自动进样，双射频源，电感耦合射频源功率>3kW,偏压射频源>300W，刻蚀速率>100nm/min，选择比（hardmsk）>1,配终点探测器；交付时间要求：8个月；交付地点要求： (略) 中山大 (略) 纳米楼；售后服务要求：若设备出现故障，卖方在接到买方通知后，2小时内做出故障维修实质性响应，若通过电话、邮件等仍不能解决问题的，卖方售后服务人员（或维修工程师）在48小时内到达买方现场提供设备维修服务。质保期内提供设备例行保养、设备维护及培训等服务。

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电感耦合等离子体刻蚀系统 (ICP) LN：数量：1台。光电子器件的制备工艺流程与微电子IC芯片的流片基本相同，此次论证的刻蚀机，是在光刻做好图形之后，将光刻胶图形转移到衬底材料的加工流程，是平台不可或缺的重要组成部分之一，该设备主要用于制备铌酸锂无缘器件，铌酸锂材料在光电领域广泛应用于光调制器、光波导和非线性光学器件。其优良的电光效应和非线性光学特性，使其在光通信和激光技术中发挥重要作用；技术要求：支持8inch Wafer,均匀性优于5%，配有loadlock自动进样，双射频源，电感耦合射频源功率>3kW,偏压射频源>300W，刻蚀速率>100nm/min，选择比（hardmsk）>1,配终点探测器；交付时间要求：8个月；交付地点要求： (略) 中山大 (略) 纳米楼；售后服务要求：若设备出现故障，卖方在接到买方通知后，2小时内做出故障维修实质性响应，若通过电话、邮件等仍不能解决问题的，卖方售后服务人员（或维修工程师）在48小时内到达买方现场提供设备维修服务。质保期内提供设备例行保养、设备维护及培训等服务。