2025年01月政府采购意向
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2025年01月政府采购意向
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将本单位2024年12月至2025年01月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 西安工业大学高精度光学表面改性设备 | 采购内容:高精度光学表面改性设备；主要功能或目标:1、真空反应腔：①真空反应腔配置内衬套、减少反应腔内表面沉积；②内壁加热温度可到100℃或以上；③载物台：直径≥220mm，兼容8英寸及以下的晶圆片和碎片样片；④加热温度可到500℃或以上，配置温度传感器，精度±1℃；⑤反应腔的本底真空≤ 1E-5 mbar；真空漏率≤ 2E-4 mbar?l/s。2、真空系统：①预真空室配置单独的干泵、真空计,预真空室本底真空≤ 1E-1 mbar；真空漏率≤ 1E-3 mbar?l/s；②真空系统配置工艺用抽速≥ 550 m3/h的防腐蚀设计干泵，配置抽速≥350 l/s的防腐蚀设计涡轮分子泵，本底真空≤ 7.5E-6 Torr；3、前驱体源系统：①配 (略) 独立的液体/固体 (略) ；每路前 (略) 配置独立的阀门；6路前 (略) 种类至少为： (略) 加热 (略) ； (略) 加热、前驱体罐加热（最高可到200℃或以上）、并带有起泡器Bubbler的 (略) ；②可使用的前驱体源种类至少包括：H2O, TMA, TDMAHf，TEZ以及铟源、镓源、锌源、镍源等；③配 (略) 惰性气体 (略) ，配 (略) 独立的气体源（例如：O2 、NH3、N2）管路，每路 (略) 需配有质量流量计（MFC）、颗粒过滤器和气体截止阀；对有毒/腐 (略) （例如NH3） (略) bypass。4、前驱体源系统：①配置真远程等离子体方式或电感耦合等离子源；②等离子体源的射频功率≥ 300W，频率13.56 MHz；③配有自动匹配盒，可通过固定匹配模式或自动匹配模式稳定地起辉；④配置计算机控制的等离子体源关闭阀（等离子体快门）5、原位实时监测系统：①采用激光椭偏仪实时监测薄膜生长过程，可进行膜厚的在线测量，还可实时监测到原子层沉积工艺每一个循环的每一个步骤；②该装置软件与沉积系统操作软件相兼容，可在沉积系统操作软件中直接调用膜厚测量值、实现终点检测；③配置与真空腔相连的特制法兰与光学窗口，配置快门系统、仅在测量时打开、避免该光学窗口被污染；④测量波长632.8nm；最快测量时间≤ 40ms；；需满足的要求:设备投入运行后，可以满足如下需求：1、薄膜沉积能力：满足IGZO、IZO、In2O3、InON、NiO等n、p型半导体薄膜的制备，以及HfO2、Al2O3、ZrO2等高k绝缘介质薄膜的制备。除Al2O3外，其它薄膜的薄膜均匀性应满足：①小于1.5%@4inch，②小于2%@8inch；重复性应满足：不同批次的薄膜均匀性偏差小于2%。2、薄膜性能参数指标：①4英寸硅片上沉积50纳米厚度Al2O3非均匀性小于0.5%，漏电流密度小于等于10 A/cm @ 3M V/cm；②4英寸热氧化硅片上沉积10-30纳米厚度IGZO非均匀性小于1.5%，载流子迁移率达到50 cm2/Vs以上；③4英寸热氧化硅片上沉积10-30纳米厚度InON非均匀性小于1.5%，载流子迁移率达到50 cm2/Vs以上，*@*600s。。 | 452.00 | 2025年01月 | 无 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
西安工业大学
2024年12月05日
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将本单位2024年12月至2025年01月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 西安工业大学高精度光学表面改性设备 | 采购内容:高精度光学表面改性设备；主要功能或目标:1、真空反应腔：①真空反应腔配置内衬套、减少反应腔内表面沉积；②内壁加热温度可到100℃或以上；③载物台：直径≥220mm，兼容8英寸及以下的晶圆片和碎片样片；④加热温度可到500℃或以上，配置温度传感器，精度±1℃；⑤反应腔的本底真空≤ 1E-5 mbar；真空漏率≤ 2E-4 mbar?l/s。2、真空系统：①预真空室配置单独的干泵、真空计,预真空室本底真空≤ 1E-1 mbar；真空漏率≤ 1E-3 mbar?l/s；②真空系统配置工艺用抽速≥ 550 m3/h的防腐蚀设计干泵，配置抽速≥350 l/s的防腐蚀设计涡轮分子泵，本底真空≤ 7.5E-6 Torr；3、前驱体源系统：①配 (略) 独立的液体/固体 (略) ；每路前 (略) 配置独立的阀门；6路前 (略) 种类至少为： (略) 加热 (略) ； (略) 加热、前驱体罐加热（最高可到200℃或以上）、并带有起泡器Bubbler的 (略) ；②可使用的前驱体源种类至少包括：H2O, TMA, TDMAHf，TEZ以及铟源、镓源、锌源、镍源等；③配 (略) 惰性气体 (略) ，配 (略) 独立的气体源（例如：O2 、NH3、N2）管路，每路 (略) 需配有质量流量计（MFC）、颗粒过滤器和气体截止阀；对有毒/腐 (略) （例如NH3） (略) bypass。4、前驱体源系统：①配置真远程等离子体方式或电感耦合等离子源；②等离子体源的射频功率≥ 300W，频率13.56 MHz；③配有自动匹配盒，可通过固定匹配模式或自动匹配模式稳定地起辉；④配置计算机控制的等离子体源关闭阀（等离子体快门）5、原位实时监测系统：①采用激光椭偏仪实时监测薄膜生长过程，可进行膜厚的在线测量，还可实时监测到原子层沉积工艺每一个循环的每一个步骤；②该装置软件与沉积系统操作软件相兼容，可在沉积系统操作软件中直接调用膜厚测量值、实现终点检测；③配置与真空腔相连的特制法兰与光学窗口，配置快门系统、仅在测量时打开、避免该光学窗口被污染；④测量波长632.8nm；最快测量时间≤ 40ms；；需满足的要求:设备投入运行后，可以满足如下需求：1、薄膜沉积能力：满足IGZO、IZO、In2O3、InON、NiO等n、p型半导体薄膜的制备，以及HfO2、Al2O3、ZrO2等高k绝缘介质薄膜的制备。除Al2O3外，其它薄膜的薄膜均匀性应满足：①小于1.5%@4inch，②小于2%@8inch；重复性应满足：不同批次的薄膜均匀性偏差小于2%。2、薄膜性能参数指标：①4英寸硅片上沉积50纳米厚度Al2O3非均匀性小于0.5%，漏电流密度小于等于10 A/cm @ 3M V/cm；②4英寸热氧化硅片上沉积10-30纳米厚度IGZO非均匀性小于1.5%，载流子迁移率达到50 cm2/Vs以上；③4英寸热氧化硅片上沉积10-30纳米厚度InON非均匀性小于1.5%，载流子迁移率达到50 cm2/Vs以上，*@*600s。。 | 452.00 | 2025年01月 | 无 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
西安工业大学
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